检测装置、检测系统和检测装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及检测装置、检测系统和检测装置的制造方法。一种检测装置包括布置于基板上的多个像素和多个信号布线，其中，多个像素中的每一个包含布置于基板上的开关元件和布置于开关元件上的转换元件，转换元件包含布置于开关元件上并与开关元件电连接的第一电极和布置于多个第一电极之上的半导体层，多个开关元件与多个信号布线电连接，并且，检测装置还包括被供给恒定电势的恒定电势布线，其中，在多个像素之中的一部分像素中，第一电极与恒定电势布线电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于医疗图像诊断装置、非破坏性检查装置和利用放射线的分析仪的检测装置的制造方法、检测装置和检测系统。
技术介绍
近年，薄膜半导体制造技术被用于其中诸如薄膜晶体管(TFT)的开关元件与诸如光电转换元件的转换元件组合的检测装置和放射线检测装置。在美国专利N0.5619033中讨论的具有在开关元件上布置转换元件的分层结构的像素已被讨论，以通过改善转换元件的孔径比来改善检测装置的灵敏度。美国专利N0.5619033进一步讨论了具有对于各像素分割与开关元件电连接的转换元件的电极(称为单个电极)并且在多个像素之上没有分离地布置转换元件的半导体层的分层结构的像素。在利用薄膜半导体制造技术的检测装置的制造过程中，由于外物的污染或处理中的问题，会以一定的概率产生在其转换元件和TFT中具有缺陷的有缺陷像素。然后，美国专利申请公开N0.2004/0159794讨论了 TFT的漏电极或源电极与信号布线之间的连接被切断以使有缺陷的像素与信号布线电气分离的修理技术。美国专利申请公开N0.2004/0159794特别讨论了通过激光切断TFT的漏电极或源电极与信号布线之间的连接的激光修理技术。但是，如果具有不对于各像素分离半导体层的转换元件的检测装置被修理，那么，由于与有缺陷像素相邻的正常像素在半导体层中与有缺陷像素连接，因此，会由于载流子的移动在正常像素中产生失效。
技术实现思路
本专利技术提供即使具有不对于各像素分离半导体层的转换元件的检测装置被修理也能够防止在正常像素中出现失效的检测装置及其制造方法。一种检测装置，包括布置于基板上的多个像素和多个信号布线，其中，所述多个像素中的每一个包含布置于基板上的开关元件和布置于开关元件上的转换元件，其中所述转换元件包含布置于开关元件上并与开关元件电连接的第一电极和布置于多个第一电极之上的半导体层，并且其中多个开关元件与多个信号布线电连接，并且，检测装置还包括被供给恒定电势的恒定电势布线，其中，在多个像素中的一部分像素中，第一电极与恒定电势布线电连接。一种检测装置的制造方法，包括:执行在基板上形成多个信号布线、与多个信号布线电连接的多个开关元件和被供给恒定电势的恒定电势布线的第一步骤；执行形成包含与多个开关元件电连接且在多个开关元件上形成的多个第一电极和在多个第一电极上形成的半导体层的多个转换元件、并且形成各包含多个开关元件中的一个开关元件和多个转换元件中的一个转换元件的多个像素的第二步骤；以及执行电连接多个像素中的一部分像素的转换元件的第一电极与恒定电势布线的第三步骤。从参照附图对示例性实施例的以下描述，本专利技术的其它特征和方面将变得清晰。【附图说明】图1A是根据第一示例性实施例的检测装置的示意性等价电路图。图1B是根据第一示例性实施例的检测装置中的像素的示意性顶视图。图2A和图2B是根据第一示例性实施例的检测装置中的一个像素的示意性截面图。图3A、图3B、图3C、图3D、图3E和图3F是示出根据第一示例性实施例的检测装置的制造方法的示意性截面图。图4A、图4B和图4C是示出根据第一示例性实施例的检测装置的制造方法的示意性截面图。图5A是根据第二示例性实施例的检测装置的示意性等价电路图。图5B是根据第二示例性实施例的检测装置中的像素的示意性顶视图。图6A和图6B是根据第二示例性实施例的检测装置中的一个像素的示意性截面图。图7A?7C是示出根据第二示例性实施例的检测装置的制造方法的示意性截面图。图8是根据第三示例性实施例的检测装置中的像素的示意性顶视图。图9A和图9B是根据第三示例性实施例的检测装置中的一个像素的示意性截面图。图1OA?IOD是示出根据第三示例性实施例的检测装置的制造方法的示意性截面图。图1lA和图1lB是示出根据第三示例性实施例的检测装置的制造方法的示意性截面图。图12是根据第四示例性实施例的检测装置中的像素的示意性顶视图。图13A和图13B是根据第四示例性实施例的检测装置中的一个像素的示意性截面图。图14A?14D是示出根据第四示例性实施例的检测装置的制造方法的示意性截面图。图15是示出根据第四示例性实施例的检测装置的制造方法的示意性截面图。图16是根据第五示例性实施例的检测装置中的像素的示意性顶视图。图17A和图17B是根据第五示例性实施例的检测装置中的一个像素的示意性截面图。图18是示出检测装置被应用于检测系统的应用的示意图。【具体实施方式】以下，参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例。以下描述第一示例性实施例。参照图1A和图1B以及图2A和图2B，描述根据本专利技术的第一示例性实施例的检测装置。图1A是根据第一示例性实施例的检测装置的示意性等价电路图。在图1A中，为了简化，使用具有三行和三列的等价电路图，但是，本专利技术不限于该电路图。检测装置具有转换单元3，该转换单元3是具有η个行和m个列的像素阵列(η和m分别是2或更大的自然数)。图1B是一个像素的示意性顶视图，并且，为了简化，仅示出转换元件的第一电极122，而各绝缘层和转换元件的半导体层被省略。图2A是沿图1B中的正常像素的线A-A'的示意性截面图。图2B是沿图1B中的有缺陷的像素的线B-B'的示意性截面图。图2A和图2B还示出在图1B中省略的各绝缘层和转换元件的半导体层。在根据本示例性实施例的检测装置中，包含沿行方向和列方向布置的多个像素I的转换单元3被设置在基板100的表面上。各像素I包含将放射线或光转换成电荷的转换元件12和作为输出根据转换元件12的电荷的电信号的开关元件的薄膜晶体管(TFT) 13。将放射线转换成可见光的闪烁体(未示出)可被布置于转换元件的第二电极126的表面上。电极布线14与沿列方向布置的多个转换元件12的第二电极126共同电连接。为了方便，示出电极布线14，但是，本专利技术不限于使用布线结构的配置。可在不使用布线结构的情况下仅通过布置于像素阵列的整个表面上的第二电极126进行电连接。后面描述的TFT的第二主电极136与转换元件12的第一电极122电连接。控制布线15与沿行方向布置的多个TFT13的控制电极131电连接，并与驱动电路2电连接。驱动电路2依次或同时向沿列方向并排布置的多个控制布线15供给驱动脉冲，使得以行为单位的来自像素的电信号被并行输出到沿行方向并排布置的多个信号布线16。信号布线16与沿列方向布置的多个TFT13的第一主电极135共同电连接，并与读取电路4电连接。读取电路4包含对于各信号布线16积分和放大来自信号布线16的电信号的积分放大器5以及米样和保持由积分放大器5放大和输出的电信号的米样和保持电路6。读取电路4还包含将从多个采样和保持电路6并行输出的电信号转换成串行电信号的多路复用器7和将输出的电信号转换成数字数据的模-数(A/D)转换器8。从电源电路9向积分放大器5的非反相输入端子供给基准电势Vref。电源电路9与沿行方向布置的多个电极布线14连接，以向转换元件12的第二电极126供给偏置电势Vs。沿列方向布置被供给预先确定的恒定电势的恒定电势布线17。恒定电势布线17被布置为与信号布线16平行。如果产生有缺陷的像素以向转换元件的第一电极122施加意外的电势，那么第一电极122与恒定电势布线17电连接，以使得能够将第一电极122固定于供给到恒定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测装置，包括：多个信号布线，所述多个信号布线被布置于基板上；多个像素，所述多个像素被布置于所述基板上，其中，所述多个像素中的每一个包含布置于所述基板上的开关元件和布置于所述开关元件上的转换元件，其中，所述转换元件包含布置于所述开关元件上并与所述开关元件电连接的第一电极和布置于多个第一电极之上的半导体层，并且其中，多个所述开关元件与所述多个信号布线电连接；以及恒定电势布线，所述恒定电势布线被布置于所述基板上并被供给恒定电势，其中，在所述多个像素之中的一部分像素中，第一电极与恒定电势布线电连接。

【技术特征摘要】
2012.08.06 JP 2012-1739611.一种检测装置，包括: 多个信号布线，所述多个信号布线被布置于基板上； 多个像素，所述多个像素被布置于所述基板上， 其中，所述多个像素中的每一个包含布置于所述基板上的开关元件和布置于所述开关元件上的转换元件， 其中，所述转换元件包含布置于所述开关元件上并与所述开关元件电连接的第一电极和布置于多个第一电极之上的半导体层，并且 其中，多个所述开关元件与所述多个信号布线电连接；以及 恒定电势布线，所述恒定电势布线被布置于所述基板上并被供给恒定电势， 其中，在所述多个像素之中的一部分像素中，第一电极与恒定电势布线电连接。2.根据权利要求1所述的检测装置， 其中，所述一部分像素的开关元件与所述多个信号布线之中的与所述一部分像素的开关元件电连接的信号布线之间的连接被切断。3.根据权利要求2所述的检测装置，还包括用于电连接所述一部分像素的转换元件的第一电极与恒定电势布线的多个连接部件， 其中，所述多个连接部件被布置为使得其至少一部分经由绝缘层重叠于恒定电势布线上，并且，所述多个连接部件之中的预先确定的连接部件与多个第一电极之中的预先确定的第一电极电连接，并且， 其中，所述多个连接部件在所述多个连接部件之中的位于所述一部分像素的转换元件的第一电极下面的连接部件与恒定电势布线重叠的位置中包含连接部件通过激光照射焊接到恒定电势布线的区域，并且，所述连接部件经由该区域与恒定电势布线电连接。4.根据权利要求2所述的检测装置， 其中，所述多个第一电极中的每一个在多个连接部件之中的预先确定的连接部件上形成，并与预先确定的连接部件电连接， 其中，所述检测装置还包含被设置为露出所述多个连接部件之中的位于所述一部分像素的转换元件的第一电极下面的连接部件和恒定电势布线的开口，并且， 其中，用于连接所述连接部件与恒定电势布线的导电层被布置于所述开口中。5.根据权利要求2所述的检测装置，还包含: 第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层被布置于所述多个信号布线和所述多个开关元件上；和 第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层被布置于所述第一层间绝缘层上， 其中，与恒定电势布线连接的多个连接部件和恒定电势布线被布置于第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间， 其中，多个所述第一电极被布置于所述第二层间绝缘层上，并且， 其中，在所述一部分像素中，在位于连接部件上的区域中设置通过激光照射蒸发第二层间绝缘层的区域，并且，所述连接部件经由该区域与第一电极电连接。6.根据权利要求5所述的检测装置， 其中，所述开关元件是包含栅电极、源极、漏极和沟道的薄膜晶体管，其中，所述源极和所述漏极中的一个与第一电极电连接，并且，所述源极和所述漏极中的另一个与信号布线连接，并且， 其中，所述多个连接部件之中的一个连接部件形成在与在所述一个连接部件上形成的第一电极电连接的晶体管的沟道上。7.一种检测系统，包括: 根据权利要求1的检测装置； 信号处理单元，所述信号处理单元被配置为处理从所述检测装置输出的信号； 显示单元，所述显示单元被配置为显示从所述信号处理单元输出的信号；和 传送处理单元，所述传送处理单元被配置为传送从所述信号处理单元输出的信号。8.一种检测装置的制造方法，包括: 执行第一步骤:在基板上形成多个信号布线、与所述多个信号布线电连接的多个开关元件、以及被供给...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤吉健太郎，望月千织，渡边实，横山启吾，大藤将人，川锅润，和山弘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：