发光二极管封装制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管封装，该发光二极管封装具有简化的结构和高的颜色再现性。发光二极管封装包括：封装主体；容纳在封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；引线框，其电连到第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，引线框用于根据第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层，其配置为覆盖第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，光变换层用于将从第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装
本专利技术涉及发光二极管封装，并且更具体地涉及不仅实现简化的电路结构、而且实现高的颜色再现性的发光二极管封装。
技术介绍
随着信息时代的发展，针对显示设备的需求逐渐增加。相应地，在近些年中，诸如液晶显示器（LCD）、等离子体显示器（PDP）、电致发光显示器（ELD）和有机发光设备（OLED）的各种平板显示设备已经得到应用。在前述显示设备中，液晶显示设备通过使用电场来调整液晶的透光率而显示图像。为此，液晶显示设备包括了在薄膜晶体管基板和滤色器基板之间设置液晶单元的液晶显示面板、向液晶显示面板照射光的背光单元、和驱动背光单元和液晶单元的驱动电路。如上所述的液晶显示设备不是自照明设备，并因此背光单元设置在液晶显示面板的下面。作为光源，背光单元使用例如发光二极管（LED）封装、冷阴极荧光灯（CCFL）、热阴极荧光灯（HCFL）和外部电极发光灯（EEFL）。具体地说，发光二极管封装包括主体、在主体的凹进处安装的R、G和B发光二极管芯片、经由导线电连接到R、G和B发光二极管芯片的引线框、和覆盖R、G和B发光二极管芯片的树脂材料。如上所述，发射白光的单个发光二极管封装包括发射红光的R发光二极管芯片、发射绿光的G发光二极管芯片和发射蓝光的B发光二极管芯片。当R、G和B发光二极管芯片安装在单个发光二极管封装中时，导线的数量相应地增加，并且对3个各自的发光二极管芯片施加不同电流的复杂的电路结构是必要的。而且，提供R、G和B发光二极管芯片造成成本增加。为了解决上述问题，希望的是，发光二极管封装包括单个发光二极管芯片和覆盖发光二极管的多种荧光物质。该发光二极管封装经由从单个发光二极管芯片发射的单个波长的光和从多种荧光物质发射的光的组合而发射白光。在该情况下，尽管使用多种荧光物质的混合物，但荧光物质对在宽的发光波长范围内实现高的颜色再现性存在限制。因此，存在着针对能够实现简化的电路结构和高的颜色再现性的发光二极管封装的需要。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于一种发光二极管封装，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题。本专利技术的目的是提供一种不仅可以实现简化的电路结构、而且实现高的颜色再现性的发光二极管封装。本专利技术的其他优点、目的以及特征的一部分将在随后的说明中进行阐述，而一部分在由本领域普通技术人员研究了下面的内容后会变得清楚，或者可以通过实施本专利技术而获知。本专利技术的上述目的和其他优点可以由在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构而实现并获得。为了实现这些目的和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛描述的专利技术宗旨，本专利技术提供一种发光二极管封装，其包括：封装主体；容纳在所述封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；引线框，其电连接到所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述引线框用于根据所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层，其配置为覆盖所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述光变换层用于将从所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的每一个可以包括：基板；形成在基板上的缓冲层；形成在缓冲层上的N型氮化物半导体层；形成在N型氮化物半导体层上的多量子阱有源层；形成在有源层上的P型氮化物半导体层；连接到P型氮化物半导体层的P型电极；和连接到N型氮化物半导体层的N型电极。引线框可以包括：凹进处，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在凹进处中；第一引线框，连接到第一发光二极管芯片的N型电极；第二引线框，连接到第一发光二极管芯片的P型电极；第三引线框，连接到第二发光二极管芯片的N型电极；和第四引线框，连接到第二发光二极管芯片的P型电极。封装主体可以包括：侧壁，配置为包围第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；第一绝缘体，配置为将第一引线框和第二引线框彼此电绝缘；和第二绝缘体，配置为将第三引线框和第四引线框彼此电绝缘。光变换层可以通过将多个荧光体和树脂混合而形成，并且荧光体可以包括球形或非典型的荧光体，荧光体发射峰值波长处于550nm到660nm的范围的特定单个波长或多个波长的可见光，并且吸收430nm到550nm的波长范围的光。第一发光二极管芯片可以发射在400nm到460nm的波长范围的光，并可以具有10nm到50nm的半极大处全宽度（FWHM）。第一发光二极管芯片可以具有这样的操作特性，其中荧光体由第一发光二极管芯片的波长能量激发，来自第一发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的光在坐标系统中具有0.130～0.700的Cx颜色坐标值和0.03～0.350的Cy颜色坐标值。第二发光二极管芯片可以发射在460nm到550nm的波长范围中的光，并可以具有10nm到50nm的FWHM。第二发光二极管芯片可以具有这样的操作特性，其中荧光体由第二发光二极管芯片的波长能量激发，来自第二发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的光在坐标系统中具有0.200～0.700的Cx颜色坐标值和0.200～0.730的Cy颜色坐标值。引线框可以包括：凹进处，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在凹进处中；第一引线框，连接到第一发光二极管芯片的N型电极；第三引线框，连接到第二发光二极管芯片的N型电极；和第四引线框，连接到第二发光二极管芯片的P型电极，并且第一发光二极管芯片的P型电极可以经由接合线连接到第二发光二极管芯片的P型电极。封装主体可以包括：侧壁，配置为包围第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；和绝缘体，配置为将第三引线框和第四引线框彼此电绝缘。树脂可以包括散射光的填料或吸收UV能量或特定波长范围的光的阻挡体。应当理解，上文对本专利技术的概述与下文对本专利技术的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对如权利要求所述专利技术的进一步解释。附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术的进一步的理解并被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本专利技术的实施方式，并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：图1是例示根据本专利技术的第一实施方式的发光二极管封装的立体图；图2是例示在图1中例示的发光二极管封装的平面图；图3是例示在图1中例示的发光二极管封装的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的立体图；图4是例示在图1中例示的发光二极管封装的第一和第二发光二极管的电路图；图5A是例示第一发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的光谱图表；图5B是第一发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的色品图；图6A是例示第二发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的光谱图表；图6B是第二发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的色品图图7A是例示第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的混合颜色的发光的光谱图表；图7B是第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的混合颜色的发光的色品图；图8是例示根据本专利技术的第二实施方式的发光二极管封装的立体图；图9是例示在图8中例示的发光二极管封装的平面图；和图10是例示在图8中例示的发光二极管封装的第一和第二发光二极管的立体图。具体实施方式以下将参照附图详细地描述根据本专利技术的实施方式。通过下面的详细描述将清楚地理解根据本专利技术的实施方式的结构和操作效果。在下面的描述中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装，所述发光二极管封装包括：封装主体；容纳在所述封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；引线框，其电连接到所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述引线框用于根据所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层，其配置为覆盖所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述光变换层用于将从所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。

【技术特征摘要】
2012.08.02 KR 10-2012-00849961.一种发光二极管封装，所述发光二极管封装包括：封装主体；容纳在所述封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，其中，所述第一发光二极管芯片发射在400nm到460nm的波长范围的光并具有10nm到50nm的半极大处全宽度FWHM，并且所述第二发光二极管芯片发射460nm到550nm的波长范围的光并具有10nm到50nm的FWHM；引线框，其电连接到所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片，所述引线框用于根据所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层，其配置为覆盖所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片并通过将多个荧光体与树脂混合而形成，所述光变换层用于将从所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片发射的光变换为在550nm到660nm的波长范围的光，其中，所述荧光体包括球形或非典型的荧光体，所述荧光体发射峰值波长处于550nm到660nm的范围的特定单个波长或多个波长的可见光。2.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的每一个包括：基板；形成在所述基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型氮化物半导体层；形成在所述N型氮化物半导体层上的多量子阱有源层；形成在所述有源层上的P型氮化物半导体层；连接到所述P型氮化物半导体层的P型电极；和连接到所述N型氮化物半导体层的N型电极。3.根据权利要求2所述的封装，其中，所述引线框包括：凹进处，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在所述凹进处中；第一引线框，其连接到所述第一发光二极管芯片的所述N型电极；第二引线框，其连接到所述第一发光二极管芯片的所述P型电极；第三引线框，其连接到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：文济暎，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：