半导体单元制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体单元，其包括：绝缘层；传导层，接合至绝缘层的一侧；半导体装置，安装在传导层上；冷却器，热耦合至绝缘层的另一侧；第一汇流排，具有接合至半导体装置或传导层的接合表面以及作为第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面；以及第二汇流排，具有接合至半导体装置或传导层的接合表面以及作为第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面。第二汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比大于第一汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比。第二汇流排的电阻低于第一汇流排的电阻。

【技术实现步骤摘要】
半导体单元
本专利技术涉及一种具有半导体装置的半导体单元，其中该半导体装置设置在形成在绝缘层之上的传导层上。
技术介绍
日本未审查专利申请公布第2006-202885号公开了可以例如用作电力转换器的半导体单元。该半导体单元具有作为半导体装置的IGBT (绝缘栅双极晶体管)和二极管。IGBT的集电极和二极管的底电极被焊接至用于释放IGBT和二极管产生的热并且还连接在IGBT与二极管之间的组件。IGBT的发射极和二极管的顶电极通过引线相连接。在激励半导体单元时，电流流过组件和引线，从而组件和引线发热。在这种情况下，辐射使得引线相比于旨在起到辐射器作用的组件而言被较少程度地冷却，这导致在组件与引线之间(即，在电流流过的两个不同传导构件之间)的冷却差别。本专利技术旨在提供一种具有使得能够减小电流流过的不同传导构件之间的冷却差别的结构的半导体单元。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，一种半导体单元包括:绝缘层；传导层，接合至绝缘层的一侧；半导体装置，安装在传导层上；冷却器，热耦合至绝缘层的另一侧；第一汇流排，具有接合至半导体装置或传导层的接合表面以及作为第一汇流排的除了接合表面外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体单元，包括：绝缘层；传导层，接合至所述绝缘层的一侧；半导体装置，安装在所述传导层上；冷却器，热耦合至所述绝缘层的另一侧；第一汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面；以及第二汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面，所述第二汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比大于所述第一汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比，其特征在于，所述第二汇流排的电阻低于所述第一汇流排的电阻。

【技术特征摘要】
2012.08.03 JP 2012-1730231.一种半导体单元，包括: 绝缘层； 传导层，接合至所述绝缘层的一侧； 半导体装置，安装在所述传导层上； 冷却器，热耦合至所述绝缘层的另一侧； 第一汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面；以及 第二汇流排，具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面，所述第二汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比大于所述第一汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比， 其特征在于，所述第二汇流排的电阻低于所述第一汇流排的电阻。2.根据权利要求1所述的半导体单元，其中，所述第二汇流排的电流路径的横截面面积大于所述第一汇流排的电流路径的横截面面积。3.根据权利要求1所述的半导体单元，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：西槙介，森昌吾，音部优里，加藤直毅，
申请(专利权)人：株式会社丰田自动织机，
类型：发明
国别省市：