半导体晶圆的温度控制系统及方法技术方案

在第一腔室中接收半导体晶圆，第一腔室处于第一压力水平。半导体晶圆处于第一温度，并通过第一加热模块将半导体晶圆加热至第二温度，而第一腔室的压力水平从第一压力水平降低至第二压力水平。然后，将半导体晶圆提供至维持第三压力水平的第二腔室的支承元件，第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平；支承元件处于第三温度，第三温度比第一温度更接近于第二温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于半导体晶圆温度控制的系统和方法，例如协助降低半导体晶圆的热膨胀的这类系统和方法。
技术介绍
半导体晶圆可在暴露于环境温度和环境压力水平的同时从一个工具转移到另一个工具。工具可在腔室内处理或检查半导体晶圆，所述腔室可维持不同于环境温度和环境压力水平的温度和压力水平。当处理或检查半导体晶圆时，半导体晶圆通常定位于卡盘上。卡盘的温度高于环境温度，且当半导体晶圆置于卡盘时，半导体晶圆经历热膨胀。此热膨胀增加了与任何处理或检查工艺相关的不确定水平，且可能降低所述检查或处理的速度和准确性。在检查期间，可对半导体晶圆的较大区域进行扫描，以便考虑到热膨胀。此外，当需要检查工具提供具有缺陷集中在图像尺寸10%之内的级别图像(classimage)时，在缺陷检测与级别图像采集之间的热膨胀增加了缺陷中心的不确定性。在图像采集期间存在的热膨胀也可能导致框架的失去对准，相当于放大了斑点。此影响取决于膨胀斜率，且在半导体晶圆刚装载之后在晶圆边缘更严重。
技术实现思路
本专利技术人已经确定存在对用于降低半导体晶圆热膨胀的系统和方法的需要。根据本专利技术的一个实施方式，提供一种方法，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，所述方法包括：在第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时，在所述第一腔室接收所述半导体晶圆；通过第一加热模块将所述半导体晶圆加热至第二温度，且将所述第一腔室的所述压力水平降低至第二压力水平；以及将所述半导体晶圆提供至第二腔室的支承元件，其中所述第二腔室维持第三压力水平，所述第三压力水平比所述第一压力水平更接近于所述第二压力水平，且所述支承元件处于第三温度，所述第三温度比所述第一温度更接近于所述第二温度。

【技术特征摘要】
2012.07.30 US 13/562,2381.一种方法，所述方法包括: 在第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时，在所述第一腔室接收所述半导体晶圆； 通过第一加热模块将所述半导体晶圆加热至第二温度，且将所述第一腔室的所述压力水平降低至第二压力水平；以及 将所述半导体晶圆提供至第二腔室的支承元件，其中所述第二腔室维持第三压力水平，所述第三压力水平比所述第一压力水平更接近于所述第二压力水平，且所述支承元件处于第三温度，所述第三温度比所述第一温度更接近于所述第二温度。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二温度和第三温度基本上彼此相等，所述第二压力水平和第三压力水平基本上彼此相等，所述第一腔室为装载锁定腔室，且所述第二压力水平为真空压力水平。3.如权利要求1所述的方法，其中加热所述半导体晶圆包括通过所述第一加热模块来接触所述半导体晶圆的背部，且在接触所述半导体晶圆的同时通过所述第一加热模块来加热所述半导体晶圆。4.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过第二加热模块来加热所述半导体晶圆的上部。5.一种系统，所述系统包括: 第一腔室，所述第一腔室被配置以在所述第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度的同时从第一转移单元接收所述半导体晶圆，所述第一腔室包括第一压力控制单元，所述第一压力控制单元被配置以将所述第一腔室压力水平降低至第二压力水平； 第一加热模块，所述第一加热模块包括由加热控制器控制的至少一个加热元件，所述加热控制器被提供有至少一个温度传感器的温度读数；所述至少一个加热元件被配置以将所述半导体晶圆加热至第二温度；以及 第二转移单元，被配置以在所述系统的所述第一腔室与第二腔室之间转移所述半导体晶圆，所述第二腔室包括支承元件，所述支承元件被配置以在第二压...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·沙维特，R·克劳斯，I·耶尔，S·纳卡什，Y·贝伦基，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：