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半导体晶圆的温度控制系统及方法技术方案
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文档序号:9669516
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在第一腔室中接收半导体晶圆,第一腔室处于第一压力水平。半导体晶圆处于第一温度,并通过第一加热模块将半导体晶圆加热至第二温度,而第一腔室的压力水平从第一压力水平降低至第二压力水平。然后,将半导体晶圆提供至维持第三压力水平的第二腔室的支承元件,...
该专利属于应用材料以色列公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料以色列公司授权不得商用。
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