一种支持列选功能的亚阈值存储单元制造技术

本发明专利技术属于集成电路存储器技术领域，具体为一种支持列选功能的亚阈值存储单元。该存储单元包括一交叉耦合反相器，一个由局部写字线控制的写晶体管，一个供电受列选字线控制的列选择反相器，及一个由读字线控制的读晶体管。当存储阵列进行写操作时，只有行字线和列选字线共同选中的存储单元的局部写字线有效，数据通过写晶体管写入存储单元，同一行、列的半选择存储单元保持原来的数据；当存储阵列进行读操作时，选中的存储单元读字线有效，数据保持反馈环被切断，单元存储的数据通过读晶体管读出到位线上。本发明专利技术具有较高的读、写噪声容限，能够在亚阈值电压下工作，并且支持位列选功能，结合单位的纠错码技术，可以有效的抵抗软错误。

【技术实现步骤摘要】
一种支持列选功能的亚阈值存储单元
本专利技术属于集成电路存储器
，具体涉及一种寄存器文件(RegisterFile)及静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)单兀。
技术介绍
超低功耗的memory在最近十几年得到快速的发展，尤其是移动芯片、便携式器件、生物芯片及无线传感器等低功耗电子产品的爆炸式增长，使得超低功耗的memory受到更为广泛的关注。超低功耗的memory通常工作在低压环境下，甚至亚阈值电压领域。传统的6管(6 Transistors, 6T) SRAM,由于其存储单元内部读、写约束的存在，使得它很难在低于0.7伏的电压下工作，即使采用先进的读、写辅助电路，也不能将其最小工作电压降至亚阈值电压。而且，随着工艺技术的进步，工艺偏差和器件参数的不匹配越来越严重，这使得6T SRAM的最小工作电压进一步降级。因此，设计者们更为偏向采用先进的存储单元结构来进行超低功耗的memory设计。例如，作者 L.Chang 于 2005 年在会议“Symposium on VLSI Technology” 中发表“Stable本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种支持列选功能的亚阈值存储单元，其特征在于包括：一对交叉耦合的第一反相器和第二反相器构成存储单元的存储核心；其中，第一反相器的上拉部分为一个PMOS管，下拉部分为两个堆叠的NMOS管；上拉PMOS管和下拉部分两个堆叠管的中第一NMOS管的栅极与反相器的输入相连，它们的源极分别与电源和地相连，漏极分别与反相器的输出和下拉部分两个堆叠管中的第二个NMOS管的源极相连；下拉部分两个堆叠管中的第二NMOS管的漏极与反相器的输出相连，栅极与列写字线的互补信号相连；第二反相器的输入与第一反相器的输出相连，第二反相器的输出与第一反相器的输入相连；第一反相器的输入和输出，或第二反相器2的输出和输入，为两个存...

【技术特征摘要】
1.一种支持列选功能的亚阈值存储单元，其特征在于包括: 一对交叉耦合的第一反相器和第二反相器构成存储单元的存储核心；其中，第一反相器的上拉部分为一个PMOS管，下拉部分为两个堆叠的NMOS管；上拉PMOS管和下拉部分两个堆叠管的中第一 NMOS管的栅极与反相器的输入相连，它们的源极分别与电源和地相连，漏极分别与反相器的输出和下拉部分两个堆叠管中的第二个NMOS管的源极相连；下拉部分两个堆叠管中的第二 NMOS管的漏极与反相器的输出相连，栅极与列写字线的互补信号相连；第二反相器的输入与第一反相器的输出相连，第二反相器的输出与第一反相器的输入相连；第一反相器的输入和输出，或第二反相器2的输出和输入，为两个存储结点； 一个写晶体管和一个列选反相器构成的存储单元的写电路；其中，写晶体管的源极与第一反相器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：温亮，李毅，曾晓洋，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：