一种负位线电压产生电路制造技术

本发明专利技术属于集成电路存储器设计领域，具体为一种负位线电压产生电路。其结构包括一个耦合电容，一个负责将耦合后的电平拉回“0”的下拉管，一个负责对下拉管栅极充电的预充管和一个负责放电的放电管，及两对反相器。其中一个反相器为低偏斜反相器，用于产生瞬间的高电平到低电平的跳变；另一个则为管脚地被下拉管控制的输出反相器，用于数据输出。本发明专利技术结构简单，能够有效的产生负位线电压。

【技术实现步骤摘要】
一种负位线电压产生电路
本专利技术属于集成电路设计领域,具体涉及一种寄存器文件(Register File)或静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)的负位线电压产生电路。
技术介绍
SRAM通常占有芯片的大量面积，尤其是随着工艺技术的进步，其所占的比例越来越大。据美国半导体技术蓝图(ITRS)预测，到2014年，SRAM在片上系统(SoC)所占的比例将达到90%以上。因此，芯片的主要性能，包括面积、速度和功耗，都由SRAM主导。但是，随着工艺技术的进步，工艺偏差和器件参数的不匹配越来严重，SRAM因其采用最小尺寸的晶体管，所以对这些工艺变化非常敏感，使得其很容易产生读、写功能性错误。因此，提高SRAM的读、写操作的稳定性越来越受到设计者们的关注。2006 年，H.Pilo 在会议“Symposium on VLSI Technology” 中发表“An SRAMdesign in 65-nm and 45-nm technology nodes featuring read and write—assistcircuits to 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负位线电压产生电路，其特征在于包括：一个输出反相器，它的输入作为全电路的输入，输出作为全电路的输出，它的下拉网络的地管脚与一个下拉NMOS管的漏极和耦合电容的一端相连；下拉NMOS管的源极接地，而栅极与一个预充PMOS管和一个放电NMOS管的漏极相连；其中，预充PMOS管的源极与电源相连，栅极与输入相接；放电NMOS管的栅极与输入相连，源极与一个低偏斜反相器的输出和耦合电容的另一端相接；低偏斜反相器的输入与全电路的输入相连。

【技术特征摘要】
1.一种负位线电压产生电路，其特征在于包括: 一个输出反相器，它的输入作为全电路的输入，输出作为全电路的输出，它的下拉网络的地管脚与一个下拉NMOS管的漏极和耦合电容的一端相连；下拉NMOS管的源极接地，而栅极与一个预充PMOS管和一个放电NMOS管的漏极相连；其中，预充PMOS管的源极与电源相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：温亮，李毅，曾晓洋，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：