【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新型设计电路领域，尤其是涉及一种负压罐CPU驱动电路。
技术介绍
在现有的技术中CPU驱动下的充电电路可达到智能化的充断电，是现代可充电电子产品使用稳定性的重要电路之一，使用CPU智能化控制各小型元件的工作情况及充放电的电路设计需要具有结构简单、性能稳定和信号响应速度快的特点。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种负压罐CPU驱动电路，尤其适合用于连接充电接口与电池之间控制通断路的负压罐CPU驱动电路。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种负压罐CPU驱动电路，包括P沟道场效应管Q8、N沟道场效应管Q5和外围电路，所述外围电路包括电阻R17-R21和电容C17-C19，所述P沟道场效应管Q8源极接电压输入端，漏极接电压输出端，栅极串联电阻R19后接入N沟道场效应管的漏极，所述P沟道场效应管Q8的源极和漏极之间连接一电阻R17，所述P沟道场效应管Q8的源极和N沟道场效应管Q5的漏极之间连接一电阻R18；所述N沟道场效应管Q5的源极接地，其栅极串联一电阻R20后连接一接地电阻R21电容C18并联电路形成信号输入端；所述N沟道场效应管Q5的源极和P沟道场效应管Q8的漏极之间分别连接一电容C17和一电容C19。本专利技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，可智能化的通过CPU控制充电接口与电池之间的导通和断开，具有结构简单、性能稳定和信号响应速度快的特点...
【技术保护点】
一种负压罐CPU驱动电路，其特征在于：包括P沟道场效应管（Q8）、N沟道场效应管（Q5）和外围电路，所述外围电路包括电阻R17‑R21和电容C17‑C19，所述P沟道场效应管（Q8）源极接电压输入端，漏极接电压输出端，栅极串联电阻R19后接入N沟道场效应管的漏极，所述P沟道场效应管（Q8）的源极和漏极之间连接一电阻R17，所述P沟道场效应管（Q8）的源极和N沟道场效应管（Q5）的漏极之间连接一电阻R18；所述N沟道场效应管（Q5）的源极接地，其栅极串联一电阻R20后连接一接地电阻R21电容C18并联电路形成信号输入端；所述N沟道场效应管（Q5）的源极和P沟道场效应管（Q8）的漏极之间分别连接一电容C17和一电容C19。
【技术特征摘要】
1.一种负压罐CPU驱动电路，其特征在于：包括P沟道场效应管（Q8）、
N沟道场效应管（Q5）和外围电路，所述外围电路包括电阻R17-R21和电容
C17-C19，所述P沟道场效应管（Q8）源极接电压输入端，漏极接电压输出
端，栅极串联电阻R19后接入N沟道场效应管的漏极，所述P沟道场效应
管（Q8）的源极和漏极之间连接一电...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志强，张增莲，
申请(专利权)人：天津赛思科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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