含有CF2S桥键的液晶单体化合物及合成方法技术

本发明专利技术公开了一种含有含-CF2S-桥键的液晶单体化合物及其制备方法，该液晶单体化合物的结构通式如下：其中，R为C1～C10的直链烷基，X1、X2、X3、X4为H或F，Y为H、F、CF3或OCF3中的一种。制备方法采用Suzuki反应，低温溴代以及醚化反应制备，原料易得，合成路线简单，适宜规模化生产。

【技术实现步骤摘要】
含有CF2S桥键的液晶单体化合物及合成方法
本专利技术属于液晶
，涉及一类含有-CF2S-桥键的液晶单体化合物及其合成方法，适用于高速响应及低电压阈值的TFT液晶混合物的一种关键组分。
技术介绍
对于TFT-LCD使用的液晶材料，除了要求低阈值、快速响应以及高的液晶稳定性之外，还要求高的电压保持率。低阈值的液晶材料应具有大的介电各向异性(Λ ε )，而快速响应的性能要求液晶有小的旋转黏度(Y1)。其中关键的桥键连接有乙烷类、酯类、炔类、-CH2O-,-OCH2-,-CH2CF2-,-CF2CH2-和-CF2O-等。由于酯类液晶粘度小，得到了广泛的应用，但是其不稳定，接触空气容易分解，从而影响液晶性能。德国Merck公司的研究人员于1989年首先报道了具有-CF2O-桥键的化合物(DE4006921 )。20世纪90年代该类液晶化合物得到了系统的研究(EP0844229A1 )。研究发现有些-CF2O-液晶不仅具有低黏度而且具有良好的溶解性。从1995年Merck公司申请专利技术专利以后(DE19531165A1)，日本Chisso公司也开始申请专利技术专利(W09611995).特别是21世纪前10年，研究工作突飞猛进，出现了大批专利和科学论文，为液晶显示在电视技术上的应用做出重要贡献。 申请人:在该化合物的基础上进行进一步的扩展，设计了具有-CF2S-桥键液晶分子，不仅继承了-CF2O-桥键液晶的优良性能，其制备上更加的容易和简便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种含有CF2S桥键的液晶单体化合物及合成方法。为了实现上述任务，本专利技术采取如下的技术解决方案:一种含有CF2S桥键的液晶单体化合物，其特征在于，该液晶单体化合物的结构通式如下:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含?CF2S?桥键的液晶单体化合物，其特征在于，该液晶单体化合物的通式结构为：其中，R为C1～C10的直链烷基，X1、X2、X3、X4为H或F，Y为H、F、CF3或OCF3中的一种。FDA0000396427830000011.jpg

【技术特征摘要】
1.一种含-CF2S-桥键的液晶单体化合物，其特征在于，该液晶单体化合物的通式结构为: 2.如权利要求1所述的含-CF2S-桥键的液晶单体化合物，其特征在于，所述的1?为C3~C7 的直链烷基；Xp X2、X3> X4 为 F ;Y 为 F、CF3 或 OCF3。3.如权利要求2所述的含-CF2S-桥键的液晶单体化合物，其特征在于，所述R为的C3~C5的直链烷基；Xp X3为F，X2、X4为H ;Υ为F或CF3。4.如权利要求3所述的含-CF2S-桥键的液晶单...

【专利技术属性】
技术研发人员：别国军，杨学军，杜渭松，高嫒嫒，宋宽广，刘小岐，张延魏，徐磊，张旺财，辛兴东，邓登，
申请(专利权)人：西安彩晶光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：