The present invention provides a sealant for an optical semiconductor device, where the adhesion of the cured surface is suppressed, and the heat resistance of the cured substance and the thermal and cold cycling characteristics are improved. Optical semiconductor device of the present invention with a sealant contains first organic polysiloxane, second organic polysiloxane and hydrosilylation catalyst, the first organic polysiloxane by formula (1A) or (1B) said, with alkenyl and methyl bonded to the silicon atoms, the second organic polysiloxane by type (51A) or (51B), and has said hydrogen atoms bonded to the silicon atoms and methyl silicon atom bonded. The proportion of methyl groups bonded to silicon atoms in first and second organic compounds is 80 mol%, respectively. (R1R2R3SiO1/2) a (R4R5SiO2/2) B (R6SiO3/2) C?????... R51R52R535iO1/2 (1A), P (R54R55SiO2/2), q (R56SiO3/2), R???... R1R2R3SiO1/2 (51A), a (R4R5SiO2/2), B (R6SiO3/2), C???... R51R52R53SiO1/2 (1B), P (R54R55SiO2/2), q (R56SiO3/2), R???... Formula (51B).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置用密封剂及光半导体装置
本专利技术涉及在光半导体装置中用来密封光半导体元件的光半导体装置用密封剂。另外，本专利技术涉及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置。
技术介绍
发光二极管(LED)装置等光半导体装置的消耗电力低且寿命长。另外，光半导体装置在苛刻的环境中也能够使用。因此，光半导体装置已被广泛应用于手机用背光灯、液晶电视用背光灯、汽车用灯、照明器具及广告牌等用途。当作为用于光半导体装置的发光元件的光半导体元件(例如LED)与大气直接触时，大气中的水分或悬浮的灰尘等会导致光半导体元件的发光特性急剧降低。因此，通常利用光半导体装置用密封剂对上述光半导体元件进行密封。下述专利文献I中，作为光半导体装置用密封剂，公开了一种含有氢化双酚A缩水甘油醚、脂环族环氧单体及潜伏性催化剂的环氧树脂材料。该环氧树脂材料通过阳离子热聚合而固化。另外，不只是包含环氧树脂的光半导体装置用密封剂，包含有机硅树脂的光半导体装置用密封剂也得到了广泛应用。上述有机硅树脂对于蓝色~紫外区的短波长光的透过性高、耐热性及耐光性优异。 但是，在使用上述包含有机硅树脂的密封剂的情况下，由于密封剂的固化物的表面会产生发粘，因此存在表面容易附着灰尘等杂质的问题。另外，如果固化物的表面发粘，还会引发下述问题:组件之间粘附、以及在实际安装时在点胶嘴(Pick up nozzle)上产生附着，导致光半导体装置的生产性大幅降低。另一方面，如下述专利文献2中记载的那样，已知有包含交联密度得到了提高的有机硅树脂的密封剂。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2003-73452号公报专...
【技术保护点】
一种光半导体装置用密封剂，其包含：第1有机聚硅氧烷，其具有烯基及与硅原子键合的甲基；第2有机聚硅氧烷，其具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基；以及硅氢化反应用催化剂，所述第1有机聚硅氧烷由下述式(1A)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由下述式(51A)表示，或者，所述第1有机聚硅氧烷由下述式(1B)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由下述式(51B)表示，所述第1有机聚硅氧烷及所述第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上，(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c???…式(1A)上述式(1A)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0～0.30、b/(a+b+c)=0.70～1.0及c/(a+b+c)=0～0.10，R1～R6中的至少1个代表烯基、至少1个代表甲基、除烯基及甲基以外的R1～R6代表碳原子数2～8的烃基，(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r???…式(51A)上述式(51A)中，p、q及r满足p/(p+q+r)=0.10～0.50、q/(p+q+r)=0～0...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.14 JP 2011-155926;2011.09.08 JP 2011-19651.一种光半导体装置用密封剂，其包含: 第I有机聚硅氧烷，其具有烯基及与硅原子键合的甲基； 第2有机聚硅氧烷，其具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基；以及 硅氢化反应用催化剂， 所述第I有机聚硅氧烷由下述式(IA)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由下述式(51A)表示，或者，所述第I有机聚硅氧烷由下述式(IB)表示、且所述第2有机聚硅氧烷由下述式(51B)表不, 所述第I有机聚硅氧烷及所述第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔％以上，(RlR2R3Si01/2) a (R4R5Si02/2)b (R6Si03/2) c …式(IA) 上述式(IA)中，a、b 及 c 满足 a/ (a+b+c) =0 ~0.30、b/ (a+b+c) =0.70 ~1.0 及 c/(a+b+c) =0~0.10，Rl~R6中的至少I个代表烯基、至少I个代表甲基、除烯基及甲基以外的Rl~R6代表碳原子数2~8的烃基，(R51R52R53Si01/2)p (R54R55Si02/2) q (R56Si03/2) r …式(51A) 上述式(51A)中，p、q 及 r 满足 p/(p+q+r) =0.10 ~0.50、q/(p+q+r) =0 ~0.40、r/(p+q+r) =0.40~0.90，R51~R56中的至少I个代表氢原子、至少I个代表甲基、除氢原子及甲基以外的R51~R56代表碳原子数2~8的烃基，(RlR2R3Si01/2) a (R·4R5Si02/2)b (R6Si03/2) c …式(IB)上述式(IB)中，a、b 及 c 满足 a/ (a+b+c) =0.10 ~0.50、b/ (a+b+c) =0 ~0.40、及 c/(a+b+c) =0.40~0.90,Rl~R6中的至少I个代表烯基、至少I个代表甲基、除烯基及甲基以外的Rl~R6代表碳原子数2~8的烃基，(R51R52R53Si01/2) P (R54R55Si02/2) q (R56Si03/2) r …式(51B)上述式(51B)中，p、q 及...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎亮介，谷川满，渡边贵志，乾靖，国广良隆，金千鹤，小林佑辅，保井秀文，末崎穣，日下康成，山田佑，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：
国别省市：
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