一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统技术方案

本发明专利技术提供一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统，该系统包括两个均发出e光但波长不同的半导体激光器叠阵，两个半导体激光器叠阵的出光面平齐或平行，在这两个半导体激光器叠阵整体的出光方向设置有双折射晶体，所述的双折射晶体对o光透射，对e光折射；在第一半导体激光器叠阵与双折射晶体之间上设置有二分之一玻片，该二分之一玻片能够将e光旋转成o光，使得第一半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体透射，第二半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体发生双折射后与第一半导体激光器叠阵的激光合束。本发明专利技术结构简明，体积小，能够实现高功率多波长的输出；选用偏振态一致的半导体激光器叠阵，加工方便，实现成本较低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统，该系统包括两个均发出e光但波长不同的半导体激光器叠阵，两个半导体激光器叠阵的出光面平齐或平行，在这两个半导体激光器叠阵整体的出光方向设置有双折射晶体，所述的双折射晶体对o光透射，对e光折射；在第一半导体激光器叠阵与双折射晶体之间上设置有二分之一玻片，该二分之一玻片能够将e光旋转成o光，使得第一半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体透射，第二半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体发生双折射后与第一半导体激光器叠阵的激光合束。本专利技术结构简明，体积小，能够实现高功率多波长的输出；选用偏振态一致的半导体激光器叠阵，加工方便，实现成本较低。【专利说明】一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统
本专利技术属于激光加工
，涉及一种高功率半导体激光光源系统。
技术介绍
高功率半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长等优点，已广泛用于激光加工、激光医疗、激光显示及科学研究领域，成为新世纪发展快、成果多、学科渗透广、应用范围大的核心器件。半导体激光器正朝着高功率的方向发展，尤其在激光加工等领域，半导体激光器的千瓦级连续输出已成为必然需求。并且随着对加工件的加工深度增大,更高输出功率的半导体激光器急需研制。通常采用多光束合束的方法来提高半导体激光器输出功率，目前多光束合束方法主要包括波长合束、偏振合束、空间合束等。其中波长合束技术必须镀有特定波长的增透膜，镀膜费用高；偏振合束技术通常使用镀有偏振膜的玻璃片来实现多光束合束，其中镀膜费用高，要求精度高等；空间合束技术主要涉及多光束经过复杂的光学系统进行光束传输和精密机械系统进行光学元器件的控制，最终实现多光束空间上的重合，但是此种技术光学系统复杂，机械系统控制精度要求高，会导致光束空间重合程度偏移较大。
技术实现思路
为克服
技术介绍
存在的上述缺陷，本专利技术提供一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统。本专利技术的技术方案如下:一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统，包括两个均发出e光的但波长不同的半导体激光器叠阵，两个半导体激光器叠阵的出光面平齐或平行，在这两个半导体激光器叠阵整体的出光方向设置有双折射晶体，所述的双折射晶体对ο光透射，对e光折射；在第一半导体激光器叠阵与双折射晶体之间上设置有二分之一玻片，该二分之一玻片能够将e光旋转成ο光，使得第一半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体透射，第二半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体发生双折射后与第一半导体激光器叠阵的激光合束。上述两个半导体激光器叠阵的巴条可以设置为数量相等。本专利技术具有以下优点:本专利技术结构简明，体积小，能够实现高功率多波长的输出。本专利技术选用偏振态一致的半导体激光器叠阵，加工方便，实现成本较低。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的的示意图。附图标号说明:1-第一半导体激光器叠阵；2_第二半导体激光器叠阵；3_偏振片；4_双折射晶体。【具体实施方式】如图1所示，多波长千瓦级半导体激光加工光源系统，包括第一半导体激光器叠阵I和第二半导体激光器叠阵2，所述的第一半导体激光器叠阵I和第二半导体激光器叠阵2具有多个巴条，所述的第一半导体激光器叠阵I和第二半导体激光器叠阵2所发出的两束激光具有不同的波长，相同的偏振态。第一半导体激光器叠阵I发出的激光波长为λ i,偏振态为O ;第二半导体激光器叠阵2发出的激光波长为λ 2,偏振态为O。第一导体激光器叠阵I和第二半导体激光器叠阵2垂直设置，在第二半导体激光器叠阵2的激光出射方向设置二分之一玻片3，在半波片3后设置双折射晶体4，双折射晶体4对偏振态为ο的激光进行透射，对偏振态为e激光进行折射。第一半导体激光器叠阵I发出波长为λ i，偏振态为ο的激光通过双折射晶体4进行透射，双折射晶体4的带宽较宽可以对同一偏振态ο的多种波长进行透射。第二半导体激光器叠阵2发出波长为λ 2，偏振态为ο的激光通过半波片3后偏振态旋转90°后偏振态为e的激光，该e光通过双折射晶体4发生折射，从而两路激光进行合束出射。本专利技术可实现不同波长的多个高功率半导体激光器合束最终可实现千瓦级以上功率输出，可用于金属表面改性等。【权利要求】1.一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统，其特征在于:包括两个均发出e光但波长不同的半导体激光器叠阵，两个半导体激光器叠阵的出光面平齐或平行，在这两个半导体激光器叠阵整体的出光方向设置有双折射晶体，所述的双折射晶体对ο光透射，对e光折射；在第一半导体激光器叠阵与双折射晶体之间上设置有二分之一玻片，该二分之一玻片能够将e光旋转成ο光，使得第一半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体透射，第二半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体发生双折射后与第一半导体激光器叠阵的激光合束。2.根据权利要求1所述的多波长千瓦级半导体激光加工光源系统，其特征在于:两个半导体激光器叠阵的巴条数量相等。【文档编号】H01S5/40GK103532017SQ201310525017【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月29日 优先权日:2013年10月29日 【专利技术者】刘兴胜, 刘晖, 王敏, 宋涛 申请人:西安炬光科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统，其特征在于：包括两个均发出e光但波长不同的半导体激光器叠阵，两个半导体激光器叠阵的出光面平齐或平行，在这两个半导体激光器叠阵整体的出光方向设置有双折射晶体，所述的双折射晶体对o光透射，对e光折射；在第一半导体激光器叠阵与双折射晶体之间上设置有二分之一玻片，该二分之一玻片能够将e光旋转成o光，使得第一半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体透射，第二半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体发生双折射后与第一半导体激光器叠阵的激光合束。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴胜，刘晖，王敏，宋涛，
申请(专利权)人：西安炬光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：