透明导电膜及具备其的触控式面板制造技术

技术编号:9597739 阅读:78 留言:0更新日期:2014-01-23 02:59
本发明专利技术透明导电膜及具备其的触控式面板,其中塑料薄膜基材两相对的表面上分别依序经由至少二层底涂层及具有至少一层透明导电图案层,藉由各底涂层与该透明导电图案层间,不同折射率以及厚度的相互搭配,可消除因设置透明导电图案层间的明显化引起的外观不良的问题,可抑制图案区与非图案区间光学特性的差异,使外观变好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术透明导电膜及具备其的触控式面板,其中塑料薄膜基材两相对的表面上分别依序经由至少二层底涂层及具有至少一层透明导电图案层,藉由各底涂层与该透明导电图案层间,不同折射率以及厚度的相互搭配,可消除因设置透明导电图案层间的明显化引起的外观不良的问题,可抑制图案区与非图案区间光学特性的差异,使外观变好。【专利说明】透明导电膜及具备其的触控式面板
本专利技术有关一种透明导电膜,特别是指一种可应用于触控面板的透明导电膜,并可消除因设置透明导电图案层间的明显化引起的视觉不良的问题,使视觉外观变好的透明导电膜及具备其的触控式面板。
技术介绍
近年来,随着触控技术的不断发展,触控面板已广泛应用于诸如手机、个人数位助理(PDA)、游戏机输入接口、电脑触控屏等各种电子产品中。在实际应用中,触控面板通常与液晶显示器相结合形成触控屏,安装于各式电子产品上,使用者通过触控屏输入数据和指令,取代了诸如键盘、鼠标等传统输入装置,给使用者带来极大方便。一般而言,触控面板的透明导电玻璃主要由透明基板和透明导电层所构成,在原本不导电的透明基板上,镀上一层可导电的透明导电材料,通常采用透明金属氧化物,如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称ITO)等,并经蚀刻形成具有一定的电极图案的透明导电层,如形成以单向电极间隔分布或双向电极交错分布等形式的电极图案。其中,电极图案包括图案区域(即电极区域)和非图案区域(即被蚀刻区域),非图案区域上无导电薄膜ΙΤ0,光线可直接射至透明基板上。由于两个区域对光线的折射率互不相同,使用者能观察到图案区域和非图案区域交接的蚀刻线,显示画面经常有断层、影像模糊化、显示颗粒化或者分辨率降低等情形发生,使画面质量不佳,让整体触控面板的外观不佳。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术即在提供一种可消除因设置透明导电图案层间的明显化引起的外观不良的问题,使外观变好的透明导电膜及具备其的触控式面板。为达上揭目的,本专利技术的透明导电膜设有一塑料薄膜基材,该塑料薄膜基材设有两相对的第一、第二表面,该第一表面上依序经由至少第一、第二底涂层而具有第一透明导电图案层,该第二表面上依序经由至少第三、第四底涂层而具有第二透明导电图案层,该第一、第二、第三、第四底涂层的折射率分别为N1、Ν2、Ν3、Ν4,厚度分别为Tl、Τ2、Τ3、Τ4,而该第一、第二透明导电图案层的折射率为nl、n2,厚度为tl、t2,其中nl≥NI > N2,n2 ^ N3> N4,且 T2 > tl > Tl, T4 > t2 > T3。依据上述主要结构特征,所述的第一、第二透明导电图案层的折射率nl、n2为2.0~2.5,厚度 tl、t2 为 20~35nm。依据上述主要结构特征,所述的第一、第三底涂层的折射率N1、N3为2.0-2.5,厚度 T1、T3 为 7~10nm。依据上述主要结构特征,所述的第二、第四底涂层的折射率N2、N4为1.Π.6,厚度 T2、T4 为 40~55nm。依据上述主要结构特征,所述的第一、第三底涂层的材质可以为氧化铌(NbOx)或氧化钛(TiOx)或氧化钽(TaOx)。依据上述主要结构特征,所述的第二、第四底涂层的材质可以为二氧化硅(SiO2)。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术中透明导电膜的结构示意图。图号说明:透明导电膜I塑料薄膜基材11第一表面111第二表面112第一底涂层12第二底涂层13第一透明导电图案层14 第三底涂层15第四底涂层16第二透明导电图案层17。【具体实施方式】如图1本专利技术的透明导电膜结构示意图所示,本专利技术的透明导电膜I设有一塑料薄膜基材11,该塑料薄膜基材11设有两相对的第一、第二表面111、112,该第一表面111上依序经由至少第一、第二底涂层12、13及具有第一透明导电图案层14,该第二表面112上依序经由至少第三、第四底涂层15、16而具有第二透明导电图案层17,该第一、第二底涂层12、13的折射率分别为N1、N2,厚度分别为Tl、T2,而该透明导电图案层14的折射率为nl,厚度为tl,其中nl 3N1 >N2,且T2>tl >T1 ;而该第三、第四底涂层的折射率分别为N3、N4,厚度分别为T3、T4,该第二透明导电图案层的折射率为n2,厚度为t2,其中n2 3 N3 >N4,且 T4 > t2 > T3。本专利技术的塑料薄膜基材,并无特别限制,可使用具有透明性的各种塑料薄膜。例如,作为其材料,可列举聚酯系树脂、乙酸酯系树脂、聚醚砜系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏二氯乙烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫醚系树脂等。其中,尤其好的是聚酯系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚烯烃系树脂;且上述塑料薄膜基材的厚度较好的是在2~300 μ m的范围内,更好的是在2~200 μ m的范围内。本专利技术的透明导电膜成型,可于塑料薄膜基材成型各膜层前,先预作老化处理,例如可于温度70°C加热约30分钟,再于该塑料薄膜基材双面以真空蒸镀法、溅镀法、离子电镀法等干式制程或湿式法(涂布法)等,而分别形成第一、第三底涂层;其中,该第一、第三底涂层可以为氧化铌(NbOx)或氧化钛(TiOx)或氧化钽(TaOx),其折射率N1、N3为2.0-2.5,厚度T1、T3为7~10nm。再于塑料薄膜基材的第一、第二表面的第一、第三底涂层表面同样以真空蒸镀法、溅镀法、离子电镀法等干式制程或湿式法(涂布法)等,分别形成第二、第四底涂层;其中,该第二、第四底涂层可以为二氧化硅(SiO2),其折射率N2、N4为1.r1.6,厚度T2、T4为40~55nm。最后,以真空蒸镀法、溅镀法、离子电镀法等干式制程,于该塑料薄膜基材的第一、第二表面的第二、第四底涂层表面分别形成第一、第二透明导电层,该第一、第二透明导电层的材料,并无特别限定,可使用选自由铟、锡、锌、钾、锑、钛、硅、锆、镁、铝、金、银、铜、钯、钨构成的群中的至少一种金属的金属氧化物。于该金属氧化物中,亦可视需要进而含有上述群中所示的金属原子。例如较好的是使用含有氧化锡的氧化铟、含有锑的氧化锡等。该第一、第二透明导电层的厚度可为2(T35nm。进一步图案化该第一、第二透明导电层,而形成第一、第二透明导电图案层,且该第一、第二透明导电图案层的折射率nl、n2为2.0-2.5,厚度tl、t2同样为2(T35nm ;其中,根据第一、第二透明导电层所适用的各种态样而形成各种图案。再者,藉由第一、第二透明导电层的图案化,形成图案部与非图案部,而作为图案部的形状,例如可列举条状或块状等;更进一步,可于形成第一、第二透明导电图案层之后,可视需要而在10(T20(TC的范围内实施退火处理约30-90分钟,以使其结晶化。以下,使用实施例详细说明本专利技术,但本专利技术只要不超出其宗旨的范围,则并不限定于以下的实施例。【实施例1】于一塑料薄膜基材两相对的表面上先分别形成厚度为8nm的第一、第三底涂层,再于各第一、第三底涂层表面分别形成厚度为50nm的第二、第四底涂层,并以真空蒸镀法、溅镀法、离子电镀法等干式制程,于各第二、第四底本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种透明导电膜,其特征在于,该透明导电膜设有一塑料薄膜基材,该塑料薄膜基材设有两相对的第一、第二表面,该第一表面上依序经由至少第一、第二底涂层而具有第一透明导电图案层,该第二表面上依序经由至少第三、第四底涂层而具有第二透明导电图案层,该第一、第二、第三、第四底涂层的折射率分别为N1、N2、N3、N4,厚度分别为T1、T2、T3、T4,而该第一、第二透明导电图案层的折射率为n1、n2,厚度为t1、t2,其中n1≧N1>N2,n2≧N3>N4,且T2>t1>T1,T4>t2>T3。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭廷群李执铎周世良翁健闵朱子文
申请(专利权)人:冠华科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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