用于制造芯片封装的方法、芯片封装和晶圆级封装技术

本发明专利技术涉及用于制造芯片封装的方法、芯片封装和晶圆级封装。提供了一种用于制造芯片封装的方法。该方法包括：在载体之上形成层；在该层之上形成进一步载体材料；选择性地移除进一步载体材料的一个或者多个部分，由此从进一步载体材料释放该层的一个或者多个部分；和，经由该层将包括一个或者多个接触垫的芯片附着到载体。

【技术实现步骤摘要】
用于制造芯片封装的方法、芯片封装和晶圆级封装
各种实施例一般地涉及一种用于制造芯片封装的方法、一种用于制造晶圆级封装的方法、一种芯片封装和一种晶圆级封装。
技术介绍
芯片可以以面板形式或者晶圆形式例如以重构晶圆形式、以芯片封装结构诸如以嵌入晶圆级球栅阵列（eWLB）一起地规则地布置。可以被称作重分布层（RDL）的金属层可以用作到外部连接垫的电连接。嵌入晶圆级封装例如嵌入晶圆级球栅阵列（eWLB）可能具有几个相关的问题，其中大部分可以归因于塑封材料（moldcompound）。问题可以包括翘曲、变形例如x-y变形、从材料除气、温度循环对板（TCoB）循环耐久性的问题、不良导热率和与接触相关的困难例如IC的后侧引起接触。
技术实现思路
各种实施例提供一种用于制造芯片封装的方法，该方法包括在载体之上形成层；在该层之上形成进一步载体材料；选择性地移除进一步载体材料的一个或者多个部分由此从进一步载体材料释放该层的一个或者多个部分；和，经由该层将包括一个或者多个接触垫的芯片附着到载体。附图说明在图中，类似的附图标记贯穿不同视图地一般地引用相同的部分。附图不是必要地按照比例的，相反一般地着重于示意本专利技术的原理。在以下说明中，参考以下的图描述了本专利技术的各种实施例，其中：图1根据一个实施例示出一种用于制造芯片封装的方法；图2A到2G根据一个实施例示出一种用于制造芯片封装的方法；图3根据一个实施例示出一种用于制造晶圆级封装的方法；图4根据一个实施例示出一种用于制造芯片封装的方法；图5根据一个实施例示出一种芯片封装；图6根据一个实施例示出一种芯片封装；并且图7根据一个实施例示出一种用于制造芯片封装的方法；图8A到8D根据一个实施例示出一种用于制造芯片封装的方法；以及图9根据一个实施例示出一种芯片封装。具体实施方式以下详细说明参考通过示意方式示出其中可以实践本专利技术的具体细节和实施例的附图。单词“示例性”在这里用于意味着“用作一个实例、事例或者示意”。在这里描述为“示例性”的任何实施例或者设计并不是必要地被理解为相对于其它实施例或者设计是优选的或者有利的。在这里用于描述在侧面或者表面“之上”形成一种特征例如层的单词“之上”可以用于意味着该特征例如该层可以“直接地在所指侧面或者表面上”例如与其直接接触地形成。在这里用于描述在侧面或者表面“之上”形成一种特征例如层的单词“之上”可以用于意味着该特征例如该层可以带有在所指侧面或者表面和所形成的层之间布置的一个或者多个另外的层地“间接地在所指侧面或者表面上形成”。各种实施例提供一种用于执行晶圆和/或面板的重构的方法。各种实施例提供一种可以不要求塑封材料的嵌入晶圆级封装。各种实施例提供一种重构晶圆，其中可以在金属薄板和/或箔片和/或板的空穴中精确地和/或弹性地和/或平坦地布置集成电路芯片。各种实施例提供一种可以包括其中可以在金属薄板和/或箔片和/或板中构造空穴的、例如包括铜和/或不锈钢的金属薄板和/或金属箔片和/或金属板的嵌入晶圆级封装，其中空穴可以稍微大于所要安装的集成电路（IC）芯片。金属薄板和/或金属箔片和/或金属板可以通过蚀刻或者喷砂构造，并且通过所述构造产生的空穴可以至少部分地填充有胶合剂例如导电胶、焊接材料或者膏剂。根据各种实施例，蚀刻终止层可以用于精确地在金属薄板和/或金属箔片和/或金属板中形成空穴，并且蚀刻终止层还可以被用作用于将IC芯片附着到金属薄板和/或金属箔片和/或金属板的附着层。图1根据一个实施例示出用于制造芯片封装的方法100。方法100可以包括：在载体之上形成层（在110中）；在该层之上形成进一步载体材料（在120中）；选择性地移除进一步载体材料的一个或者多个部分由此从进一步载体材料释放该层的一个或者多个部分（在130中）；和经由该层将包括一个或者多个接触垫的芯片附着到载体（在140中）。图2A到2G根据一个实施例示出用于制造芯片封装的方法200。方法200可以包括如在图2A的210中所示在载体204之上形成层202。载体204可以包括导电薄板。载体204可以包括导电箔片。载体204可以包括导电板。载体204可以包括金属。载体204可以包括选自以下一组材料的至少一种材料，该组材料包括：铜、镍、铁、银、金、钯、铜合金、镍合金、铁合金、银合金、金合金、钯合金。例如，载体204可以包括CuFe2P，例如载体204可以包括CuFe01P。载体204可以包括引线框架材料。载体204可以包括不锈钢。载体204可以包括范围从大约50μm到大约1000μm、例如大约100μm到大约800μm、例如大约100μm到大约300μm的厚度。载体204可以包括但是不限于包括以下尺寸。如果具有圆形或者圆状形式，则载体204可以具有例如大约200mm或者大约300mm或者大约450mm的直径。如果具有矩形或者正方形形式，则载体204可以具有例如200mmx200mm或者300mmx450mm或者450x600mm的长度x宽度。载体的这些尺寸可以依赖于设备。可以在载体204之上形成层202并且可以在层202之上形成进一步载体材料206。层202可以在进一步载体材料206的蚀刻期间用作蚀刻终止层，例如用于载体204的保护层。层202可以进一步用作将进一步载体材料206附着到载体204的附着层。进而，除了用作蚀刻终止层和用作在进一步载体材料206和载体204之间的附着层，层202还可以用作将芯片附着到载体204的贴片材料的支撑层。因此，可以理解，在这里描述的层202可以不仅包括单层，而且根据各种其它实施例可以包括多于一个层，例如多层布置，从而实现上述功能。层202（单层或者多层）可以用作用于将进一步载体材料206附着到载体204的附着层的一个部分、用作用于载体204的蚀刻终止保护层，并且最终用作芯片到载体204的附着层。根据各种实施例的层202在图8A到8D中示出并且将在下面进一步详细地描述。层202可以包括范围从大约1μm到大约50μm、例如大约10μm到大约40μm、例如大约15μm到大约35μm的厚度。可以理解，这些厚度可以依赖于层202的材料和用于沉积层202的沉积方法。此外，这些厚度可以依赖于载体204的粗糙度。可以进一步在下面描述这些厚度。层202可以具有尽可能均匀的厚度。通常，可以利用选自以下一组方法的至少一种方法沉积层202，该组方法包括：电镀、化学镀、电流沉积、层叠、箔片层叠、溅射、蒸发、化学汽相沉积、等离子体增强化学汽相沉积、旋涂、喷射。这些方法可以被选择性地用于沉积单层202或者层202的多层。根据在芯片后侧（在以后示出）和载体204之间是否要求导电连接，可以相应地选择用于层202的材料。例如，根据各种实施例，层202可以包括导电材料。根据其它实施例，层202可以包括电绝缘材料例如电绝缘层。可以理解，逻辑芯片可以允许或者电绝缘贴片或者导电贴片，而带有电后侧触点的功率半导体芯片可以仅仅允许导电贴片。因此，如果芯片218包括逻辑芯片，则除了上述功能，层202可以在芯片附着侧和载体204之间提供电绝缘或者电路径。如果芯片218包括功率半导体芯片，则层202可能要求在芯片218附着到载体204的一侧和载体204之间的导电连接。因此，层202可以根据芯片封装的要求而被选择本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造芯片封装的方法，所述方法包括在载体之上形成层；在所述层之上形成进一步载体材料；选择性地移除所述进一步载体材料的一个或者多个部分，由此从所述进一步载体材料释放所述层的一个或者多个部分；经由所述层将包括一个或者多个接触垫的芯片附着到所述载体。

【技术特征摘要】
2012.06.15 US 13/5239421.一种用于制造芯片封装的方法，所述方法包括在载体之上形成层；在所述层之上形成进一步载体材料；选择性地移除所述进一步载体材料的一个或者多个部分，由此从所述进一步载体材料释放所述层的一个或者多个部分；经由所述层将包括一个或者多个接触垫的芯片附着到所述载体，其中在载体之上形成层并且在所述层之上形成进一步载体材料包括将包括所述层和进一步载体材料的箔片附着到所述载体。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体包括导电薄板。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体包括选自以下一组材料的至少一种材料，所述一组材料包括：铜、镍、铁、银、金、钯、铜合金、镍合金、铁合金、银合金、金合金、钯合金。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体包括范围从50μm到1000μm的厚度。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述层包括导电材料，所述导电材料包括选自以下一组材料的至少一种材料，所述一组材料包括：银、银合金、金、金合金、镍、钯。6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述载体之上形成层包括利用选自以下一组方法的至少一种方法在所述载体之上形成所述层，所述一组方法包括：电镀、化学镀、电流沉积、层叠、箔片层叠、溅射、蒸发、化学汽相沉积、等离子体增强化学汽相沉积、印刷。7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述载体之上形成层包括形成导电层，所述导电层包括导电胶合剂和导电纳米膏剂中的至少一种。8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述载体之上形成层包括在所述载体之上形成导电层并且在所述导电层之上形成烧结层。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述载体之上形成层包括在所述载体之上形成导电层和电绝缘层中的至少一个。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述电绝缘层包括电绝缘粘结剂，所述电绝缘粘结剂包括选自以下一组材料的至少一种材料，所述一组材料包括：聚酰亚胺、苯并环丁烯、环氧树脂。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述进一步载体材料包括范围从60μm到200μm的厚度。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述进一步载体材料包括与所述载体相同的材料。13.根据权利要求1所述的方法，其中在所述层之上形成进一步载体材料包括利用选自以下一组方法的至少一种方法在所述层之上形成进一步载体材料，所述一组方法包括：层叠、烧结、胶接。14.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地移除所述进一步载体材料的一个或者多个部分由此从所述进一步载体材料释放所述层的一个或者多个部分包括选择性地蚀刻所述进一步载体材料的一个或者多个部分，其中所述层用作蚀刻终止层。15.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地移除所述进一步载体材料的一个或者多个部分由此从所述进一步载体材料释放所述层的一个或者多个部分包括选择性地蚀刻所述进一步载体材料的一个或者多个部分，其中所述层防止所述载体的蚀刻。16.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地移除所述进一步载体材料的一个或者多个部分由此从所述进一步载体材料释放所述层的一个或者多个部分包括利用选自以下一组方法的至少一种方法选择性地移除所述进一步载体材料的一个或者多个部分，所述一组方法包括：化学蚀刻、等离子体蚀刻、喷砂。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述层的、被从所述进一步载体材料释放的所述一个或者多个部分共同地被所述层的、被所述进一步载体材料覆盖的进一步部分结合。18.根据权利要求1所述的方法，其中经由所述层将包括一个或者多个接触垫的芯片附着到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：G迈耶贝格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：