液晶介质的化合物以及其用于高频组件的用途制造技术

技术编号:9529502 阅读:82 留言:0更新日期:2014-01-02 18:54
本发明专利技术涉及式(I)所示的化合物,其用于高频组件的用途,包含所述化合物的液晶介质以及包含所述介质的高频组件,特别是天线,尤其是用于千兆赫范围的。液晶介质用于例如可调谐的“相控阵”天线的微波移相器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及式(I)所示的化合物,其用于高频组件的用途,包含所述化合物的液晶介质以及包含所述介质的高频组件,特别是天线,尤其是用于千兆赫范围的。液晶介质用于例如可调谐的“相控阵”天线的微波移相器。【专利说明】本专利技术涉及在苯环中的2、3位具有取代基的1,4-こ炔基苯衍生物(參见式1、权利要求书),其用于高频组件的用途,包含所述化合物的液晶介质以及包括所述介质的高频组件,特别是天线,尤其是用于千兆赫范围的。例如,液晶介质用于可调谐“相控阵”天线的微波移相器。液晶介质长久以来用于光电显示器(液晶显示器-LCD)中以显示信息。在公开文献EP0968988A1、DE19907941A1、DE10120024A1 和 JP08012599A 中1,4-二こ炔基苯衍生物被建议作为液晶组分。然而,其中特定的取代与该专利技术上下文中重复出现的化合物取代模式并不对应。然而,最近例如在DE102004029429A和JP2005-120208 (A)中,液晶介质还被建议用于微波技术的部件或组件中。在高频技术中,具有エ业价值的液晶介质的应用是基于它们的性质,即可以通过可变电压控制它们的介电性能,特别是在千兆赫兹范围中。因此,可以构造不包含移动部分的可调谐天线(A.Gaebler, A.Moessinger, F.Goelden等人,"Liquidしrystal-Reconfigurable Antenna Concepts for bpace Applications at Microwave andMill1-meter Waves,,,International Journal of Antennas and Propagation,果 2009卷, Article ID876989, 7 页,2009.do1:10.1155/2009/876989)。出版物A.Penirschke, S.Miiller, P.Scheele, C.Weil, M.Wittek, C.Hock andR.Jakobyi^Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystalsup to35GHz〃,34th European Microwave Conference-Amsterdam, 545-548 尤其描述了已知的液晶单一物质K15 (Merck KGaA,德国)在9GHz频率下的性质。在中心亚苯基环上具有烷基取代的1_(苯基こ炔基)二苯こ炔(以下还被称为双二苯こ炔)是本领域技术人员已知的。例如,出版物S.-T.Wu, C.-s.Hsu, K.-F.Shyu Appl.Phys.Lett.(1999),74 (3),344-346公开了如下式所示的具有侧向甲基的不同液晶双二苯こ炔化合物,【权利要求】1.式I所示化合物, 2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在干,L12和L14同时表示H,或者都不表示H,和/或选自L11和L12的恰好一个基团表示F。3.根据权利要求1或所述的化合物,其特征在干,L11和/或L12彼此独立地表示具有I至12个C原子的卤代或未取代的烷基基团,其中,在这些基团中的ー个或多个CH2基团各自也可以彼此独立地被-C三C-,-CH=CH-, -CF=CF-, -CF=CH-, -CH=CF-, -(CO)O-, -0 (CO) -,- (CO) -,-0-或-S-替代,使得0或S原子不直接彼此连接;任选被烷基取代的具有3至6个C原子的环烷基;或任选被卤素,具有I至6个C原子的烷基或具有I至6个C原子的烷氧基取代的苯基。4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的化合物,其特征在干,n为I至3范围内的整数。5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的化合物,其特征在干, 6.液晶介质,其特征在于,其包含根据权利要求1至5中一项或多项所述的式I所示的化合物。7.根据权利要求6所述的液晶介质,其特征在于,其还包含一种或多种选自式II所示化合物的化合物: 8.根据权利要求6或7所述的液晶介质,其特征在于,所述介质中式I所示化合物的浓度范围为总计5%至95%。9.根据权利要求1至5中一项或多项所述的式I所示化合物在液晶介质中的用途。10.根据权利要求1至5中一项或多项所述的式I所示化合物在用于高频技术的组件中的用途。11.根据权利要求6至8中一项或多项所述的液晶介质的制备方法,其特征在于,将ー种或多种所述式I所示化合物与ー种或多种另外的化合物以及任选的ー种或多种添加剂混合。12.用于高频技术的组件,其特征在于,其包含根据权利要求6至8中一项或多项所述的液晶介质。13.根据权利要求12所述的组件,其特征在于,其为ー个或多个功能上连接的移相器。14.根据权利要求6 至8中一项或多项所述的液晶介质在用于高频技术的组件中的用途。15.“相控阵”天线,其特征在于,其包括ー个或多个根据权利要求12或13所述的组件。【文档编号】G02F1/13GK103492530SQ201280019617 【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年3月28日 优先权日:2011年4月27日【专利技术者】V·雷芬拉特, C·雅斯佩, D·鲍鲁斯, 真边笃孝 申请人:默克专利股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:V·雷芬拉特C·雅斯佩D·鲍鲁斯真边笃孝
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:
国别省市:

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