半导体装置及DC-DC转换器制造方法及图纸

本发明专利技术为解决现有技术中很难降低寄生电感，在扩大能够利用的切换频率方面存在极限的为题，提供一种具备装置主体和半导体基板的半导体装置。根据实施方式，装置主体具有半导体基板搭载部及设在上述半导体基板搭载部的周围的第一导电体。半导体基板包括具有检测电路的DC-DC转换器控制电路，配设在上述半导体基板搭载部上，以使上述检测电路接近于上述第一导体侧，上述检测电路检测经由上述第一导电体流动的电流及施加的电压中的至少某个。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术为解决现有技术中很难降低寄生电感，在扩大能够利用的切换频率方面存在极限的为题，提供一种具备装置主体和半导体基板的半导体装置。根据实施方式，装置主体具有半导体基板搭载部及设在上述半导体基板搭载部的周围的第一导电体。半导体基板包括具有检测电路的DC-DC转换器控制电路，配设在上述半导体基板搭载部上，以使上述检测电路接近于上述第一导体侧，上述检测电路检测经由上述第一导电体流动的电流及施加的电压中的至少某个。【专利说明】半导体装置及DC-DC转换器专利技术为下述申请的分案申请，原申请信息如下:申请号:201010270751.7申请日:2010年09月01日专利技术名称:半导体装置及DC-DC转换器本申请基于2009年12月25日提出申请的日本专利申请第2009 — 295981号并主张其优先权，这里引用其全部内容。
本专利技术涉及半导体装置及DC-DC转换器。
技术介绍
例如，在包括DC-DC转换器等的开关元件的切换电路中，要求对于负载变动的高速响应性，切换频率高频率化。此外，随着输出电流的大电流化，驱动电感器的开关元件的寄生电容增加。在这样的切换电路中，在输出电流或输出电压变化的上升及下降的两边缘有发生阻尼振荡的倾向。因而，能够利用的切换频率被限制在该阻尼振荡收敛的时间中，所以受到寄生电容、配线等的寄生电感限制。一般，配设有这样的切换电路的半导体芯片装配安装在引线框上，不论芯片尺寸如何，该半导体芯片都装配在引线框的中央。此外，为了减小基板面积，还已知有将多个半导体芯片层叠搭载在基板上的芯片层叠型半导体装置。在该半导体装置中，在将第一及第二半导体芯片层叠在基板上的情况下，将第一半导体芯片的虚拟中心轴从基板的中心偏移地配置该第一半导体芯片(例如参照专利文献I)。但是，在上述那样的安装构造中，很难降低寄生电感，在扩大能够利用的切换频率方面存在极限。日本特开2005- 26564号公报
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题而完成的。本专利技术的技术方案是一种半导体装置，其特征在于，具备:装置主体，具有半导体基板搭载部及设在上述半导体基板搭载部的周围的第一导电体；以及半导体基板，包括具有检测电路的DC-DC转换器控制电路，配设在上述半导体基板搭载部上，以使上述检测电路接近于上述第一导体侧，上述检测电路检测经由上述第一导电体流动的电流及施加的电压中的至少某个。【专利附图】【附图说明】图1是例示有关实施方式的半导体装置的结构的平面示意图。图2是例示包括图1所示的半导体装置的DC-DC转换器的电路图。图3是第一开关元件的电流波形图，图3 (a)是偏移量为Ομπι的情况，图3 (b)是偏移量同样为600 μ m的情况。图4是例示有关实施方式的DC-DC转换器的电路图。图5是例示有关实施方式的DC-DC转换器的电路图。【具体实施方式】根据实施方式，提供一种具备装置主体和半导体基板的半导体装置。装置主体具有半导体基板搭载部及设在上述半导体基板搭载部的周围的第一导电体。半导体基板包括具有检测电路的DC-DC转换器控制电路，配设在上述半导体基板搭载部上，以使上述检测电路接近于上述第一导体侧，上述检测电路检测经由上述第一导电体流动的电流及施加的电压中的至少某个。以下，参照附图对实施方式详细地说明。附图是示意性的或概念性的，各部分的形状及纵横的尺寸关系、部分间的大小的比率等并不一定与现实相同。此外，在表示相同的部分的情况下，也有通过附图而将相互的尺寸及比率差别表示的情况。另外，在本说明书和各图中，对于与已出的图有关的已述要素相同的要素赋予相同的标号而适当省略详细的说明。图1是例示有关实施方式的半导体装置的结构的平面示意图。如图1所示，半导体装置I具备半导体基板2、装置主体3。在半导体基板2上，设有DC-DC转换器控制电路30。此外，DC-DC转换器控制电路30具有检测电路16。此外，半导体基板2具有四边。在半导体基板2上，在第一边5侧设有端子BOOT、电源端子VIN、第一端子LX、以及接地端子GND。在与第一边5对置的一侧设有端子VFB、C0MP、EN、SS。电源端子VIN、第一端子LX、接地端子GND连接在检测电路16上。端子BOOT、VFB、COMP、ΕΝ、SS连接在DC-DC转换器控制电路30上。装置主体3具有装配(搭载)半导体基板2的半导体基板搭载部4、和设在半导体基板搭载部4的周围的第一导电体Κ2?Κ4、第二导电体Κ1、Κ5?Κ8。第一及第二导电体Kl?Κ8具有多个引脚Pl?Ρ8、和配线Η1、第一配线Η2?Η4、配线Η5?Η8。第一导电体Κ2?Κ4的引脚Ρ2?Ρ4是从与半导体基板2相反侧对第一导电体Κ2?Κ4供给电流及电压中的至少某个的部分。此外，第二导电体Κ1、Κ5?Κ8的引脚Ρ1、Ρ5?Ρ8是从与半导体基板2相反侧对第二导电体Κ1、Κ5?Κ8输出或输入信号的部分。半导体基板2的虚拟中心线DL相对于半导体基板搭载部4的虚拟中心线IL向第一边5侧偏移了偏移量DW而配置。另外，在图1中，例示了装置主体3在半导体基板搭载部4的两侧具有第一及第二导电体Kl?Κ8的结构。但是，也可以在半导体基板搭载部4的周围设置第一及第二电极。端子ROOT和引脚Pl通过配线Hl连接。引脚Pl和配线Hl构成第二导电体Kl。端子ROOT为第二导电体Kl与半导体基板2的连接部。电源端子VIN和引脚P2通过第一配线H2连接。引脚P2和第一配线H2构成第一导电体K2。电源端子VIN为第一导电体K2与半导体基板2的连接部。第一端子LX和引脚P3通过第二配线H3连接。引脚P3和第二配线H3构成第一导电体K3。第一端子LX为第一导电体K3与半导体基板2的连接部。接地端子GND和引脚P4通过第三配线H4连接。引脚P4和第三配线H4构成第一导电体K4。接地端子GND为第一导电体K4与半导体基板2的连接部。端子VFB和引脚P5通过配线H5连接。引脚5和配线H5构成第二导电体K5。端子COMP和引脚P6通过配线H6连接。引脚P6和配线H6构成第二导电体K6。端子EN和引脚P7通过配线H7连接。引脚P7和配线H7构成第二导电体K7。端子SS和引脚P8通过配线H8连接。引脚P8和配线H8构成第二导电体K8。另外,第一配线H2?H4、配线H1、H5?H8例如由接合线、金属板等构成。如上所述，由于半导体基板2的虚拟中心线DL相对于半导体基板搭载部4的虚拟中心线IL向第一边5侧偏移配置，所以配线Hl、第一?第三配线H2?H4比配线H5?H8短。S卩，半导体基板2配设在半导体基板搭载部4上，以使检测电路16接近于第一导电体K2?K4。因此，与半导体基板2配置在半导体基板搭载部4的中央时相比，第一导电体K2?K4的长度较短。此外，半导体基板2配设在半导体基板搭载部4上，以使检测电路16相对于与第二导电体K5?K8侧的距离来说更接近于第一导电体K2?K4侧。另外，在图1中，表示引脚Pl?P8相互连接的半导体装置I的组装时的状态。在组装完成后的半导体装置I的使用时，将引脚Pl?P8间的各自的连接切离。图2是例示包括图1所示半导体装置的DC-DC转换器的电路图。如图2所不,DC-DC转换器6具备半导体装置1、第一电感器7、第一电容器8、反馈电路9、电容器11?13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：装置主体，具有设置在半导体基板搭载部的周围的、被供给电流及电压中的至少某种的供给部分和被输出或输入信号的输出或输入部分；以及半导体基板，具有在电源端子与接地端子之间连接的第一开关元件及第二开关元件、以及与DC?DC转换器控制电路连接的输入端子，将连接有上述第一开关元件的上述电源端子与上述供给部分连接起来的配线的长度短于将上述输入端子与上述输出或输入部分连接起来的配线的长度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤浩，和田龙，后藤祐一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：