【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种，包括以下步骤：（1）对抛光后的太阳能电池硅片进行酸清洗；（2）对酸清洗后的太阳能电池硅片进行混酸酸洗、碱清洗和酸清洗。在步骤（2）中，混酸酸洗使用氢氟酸和硝酸的混合酸，碱清洗使用为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，用于酸洗的酸为氢氟酸和盐酸的混合酸。本专利技术的方法操作简便，且可高效地除去太阳能电池硅片在抛光过程中产生的各种污染，可明显提高硅片产品的开路电压，为背抛光、背钝化电池的大规模生产提供良好的技术支持。【专利说明】
本专利技术涉及一种电池硅片的制备方法，更特别涉及一种太阳能电池硅片抛光后的清洗方法。
技术介绍
太阳能电池从最初的不成熟发展到现在成熟的晶硅电池工艺，随着各种高效电池的不断涌现，不仅在工艺和材料上不断推陈出新，技术上也不断创新。背电场区域接触的晶硅太阳能电池结构在实验室的工艺制备过程相对于生产来说，不仅生产成本高，而且复杂、繁琐，尚未大规模应用到商业化生产中。背电场区域接触的晶硅电池与普通的晶硅电池的主要区别是正面为绒面结构，背面为抛光结构。太阳能电池背面的抛光，主要是基于增加长波长的光在穿过硅片到达背面时的吸收...
【技术保护点】
一种太阳能电池硅片抛光后的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：??（1）对抛光后的太阳能电池硅片进行酸清洗；??（2）对步骤（1）中酸清洗后的太阳能电池硅片进行混酸酸洗、碱清洗和酸清洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：安子凤，刘古岩，牛春晓，吴卫伟，黄高山，熊军，王雅男，
申请(专利权)人：昊诚光电太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：
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