【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种硅片合金的制作工艺,主要为在气体的保护下,在二极管焊接炉中进行合金制得,所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中,使用氮气保护在400±10℃的温度下合金20±3分钟制得合金硅片。本专利技术的优点在于:只使用氮气,使得生产更为安全;利用整流二极管的隧道炉减少电能源消耗;节约用电;由于使用扩散炉合金时,都是在高温的状态下硅片进炉,同时又是在高温的状态下硅片出炉,从而采用扩散炉硅片会产生一定的应力。在整流二极管的隧道炉中合金减少了硅片应力和变形。【专利说明】—种硅片合金的制作工艺
本专利技术涉及一种硅片合金的制作工艺。
技术介绍
目前市场上的硅片合金的制作工艺是用专用的扩散炉,采用通氮气和氢气进行保护的,温度为380-480°C,合金时间为15-20分钟。该工艺的缺点在于:1、由于气体氢气在高温的作用下会变为危险气体,使用不当会引起爆炸,发生安全事故;2、专用扩散炉在正常使用时,电能能耗相对消耗较多,不利于节能;3、由于使用扩散炉合金时,都是在高温的状态下硅片进炉,同时又是在高温的状态下硅片出炉,从而采用扩散炉硅片会产生一定的应力,然后使部分硅片合金变形,使用扩散炉合金影响产品质量。
技术实现思路
本专利技术的主要任务在于提供一种硅片合金的制作工艺,主要为在气体的保护下,在专用炉中进行高温扩散制得,其特征在于:所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中,只采用氮气保护在400°C的温度下进行恒温控制20分钟后取出得硅片合金。进一步地,所述氮气在隧道炉中的分布量如下:在炉口的分布量为2700-2900 m3/h,在炉中下段的分布量 ...
【技术保护点】
一种硅片合金的制作工艺,主要为在气体的保护下,在二极管焊接炉中进行合金制得,其特征在于:所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中,使用氮气保护在400±10℃的温度下合金20±3分钟制得合金硅片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴亚红,陆国华,钟盛鸣,
申请(专利权)人:如皋市日鑫电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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