信息记录介质及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种信息记录介质及其制造方法。本发明专利技术的信息记录介质(100)包括基板(1)和设于基板(1)上且通过照射激光束而光学特性能发生变化的记录层。所述记录层通过排列多个微小的记录区域(例如相变微粒子(2))而形成。所述记录区域的一部分或全部由含有Te及O的记录材料构成。所述记录区域的沿信息记录方向的长度为30nm以下。所述记录材料优选还含有元素M(M是从由Pd、Au及Pt构成的组中选择的至少一种元素)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种。本专利技术的信息记录介质(100)包括基板(1)和设于基板(1)上且通过照射激光束而光学特性能发生变化的记录层。所述记录层通过排列多个微小的记录区域(例如相变微粒子(2))而形成。所述记录区域的一部分或全部由含有Te及O的记录材料构成。所述记录区域的沿信息记录方向的长度为30nm以下。所述记录材料优选还含有元素M(M是从由Pd、Au及Pt构成的组中选择的至少一种元素)。【专利说明】
本专利技术涉及，特别是涉及使用近场光进行记录再生的高密度的。
技术介绍
作为能对大容量的信息进行记录再生的信息记录介质(以下称作“记录介质”或“介质”)，公知以 DVD (Digital Versatile / Video Disc)及 Blu—ray Disc 为代表的光学的信息记录介质。DVD及Blu—ray Disc通过记录再生所用的半导体激光的短波长化和物镜的高NA化来减小光斑直径，从而实现了高密度化。但是，由于光的衍射极限，难以利用与迄今为止同样的方法减小光斑直径并实现大容量化。近年来，使用近场光的光记录方式作为打破衍射极限的技术受到关注。该近场光是在光入射到尺寸为光波长以下的开口或微粒子等时、在它们的极其近处以局部存在的形式产生的光。由近场光形成的光斑直径不依赖于入射光的波长，由入射的开口或微粒子等的尺寸决定。以往，多采用使光入射到前端尖锐化了的光纤探测器等、在设于其前端的微小开口处产生近场光的方法。但是，该方法存在相对于入射光的光的利用效率较低这样的课题。近年来，作为使该光利用效率大幅提高的技术，提案有利用金属的表面等离子体共振的近场光产生元件(例如专利文献I)。该技术通过对微小的金属膜照射适当波长的光来诱发表面等离子体共振，在金属膜附近产生近场光来进行记录再生。另外，还提案有通过预先在信息记录介质的基板上形成图案，而在更高密度的记录介质中也进行稳定的记录再生的方法等(例如专利文献2及专利文献3)。另外，还提案有作为记录层应用纳微粒子的信息记录介质(例如专利文献4)。该信息记录介质的记录层通过将直径IOOnm以下的形状的金属微粒子以被根据光的照射而向结晶状态或非晶质状态过渡的相变材料包围的状态配置而形成。在此，金属微粒子使用显示局部等离子体共振的Pt、Ag、Au、Al或Cu等材料，相变材料使用复介电常数根据相状态而变化的Ge—Sb一Te或Ag—In一Sb一Te等材料。就该纳微粒子而言，通过照射规定强度以上的光，能使相变材料的复介电常数变化。而且，根据该复介电常数的变化，产生纳微粒子的局部等离子体共振的程度发生变化。利用这样的局部等离子体共振的程度的变化，能对信息进行记录再生。通过利用上述的技术，能记录更微小的记录标记。其结果是，能实现光存储器的进一步的高密度化及大容量化。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2003— 114184号公报专利文献2:日本特许第2584122号公报专利文献3:日本特许第3793040号公报专利文献4:日本特开2010—135020号公报专利技术要解决的课题在前述的应用了纳微粒子的信息记录介质中，Ag等金属和Ge-Sb-Te等硫属化合物形成核壳结构。因此，在这样的信息记录介质中，由于再生时产生的热量等在金属与硫属化合物的界面产生热扩散，存在微粒子的状态经时变化这样的问题。作为信息记录介质，记录的信息在再生的过程中劣化而损失是致命的，需要改善。专利文献4所记载的信息记录介质是为了解决随着记录标记微小化、来自记录标记的返回光减少这样的课题而提出的技术。该技术使由局部等离子体共振产生的强度较大的散射光作为返回光接收。因此，专利文献4完全未关注微粒子的状态发生经时变化这样的课题，关于抑制微粒子的状态发生经时变化的方法没有给出启示。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述以往技术所具有的课题而做成的，其目的在于提供保有高可靠性的大容量的信息记录介质。用于解决课题的手段本专利技术的信息记录介质包括:基板；记录层，其设于所述基板上，通过照射激光束而光学特性能够发生变化，所述记录层通过排列多个微小的记录区域而形成，所述记录区域的一部分或全部由含有Te及O的记录材料构成，所述记录区域的沿信息记录方向的长度为30nm以下。本专利技术的信息记录介质的制造方法的第一技术方案是制造上述本专利技术的信息记录介质的方法，其包括:(I)准备形成有凹凸图案的基板的工序，所述凹凸图案的凸部上的沿信息记录方向的长度为30nm以下；(II)在所述基板上对含有Te及O的记录材料或含有Te、O及M(M是从由Pd、Au及Pt构成的组中选择的至少一种元素)的记录材料进行成膜、在所述凸部上形成由所述记录材料构成的记录区域的工序。本专利技术的信息记录介质的制造方法的第二技术方案是制造上述本专利技术的信息记录介质的方法，其包括:(i)在基板上形成由含有Te及O的记录材料或含有Te、0及M(M是从由PcUAu及Pt构成的组中选择的至少一种元素)的记录材料构成的膜的工序；(ii)在所述膜上配置具有沿信息记录方向的长度为30nm以下的图案的掩模的工序;(iii)从所述掩模的上方对所述膜进行蚀刻的工序；(iv)除去所述掩模,形成排列有多个的、由所述记录材料构成的记录区域的工序。专利技术效果在本专利技术的信息记录介质中，记录层通过排列多个微小的记录区域而形成。该记录区域的一部分或全部由含有Te及O的记录材料构成，从而能实现可靠性及耐湿性优异的大容量的信息记录介质。另外，根据本专利技术的制造方法，能制造具有这样优异的特性的信息 记录介质。【专利附图】【附图说明】图1是表示本专利技术的实施方式I的信息记录介质的一例的立体图。图2是表示对本专利技术的实施方式I的信息记录介质的记录再生方法的一例的立体图。图3是表示对以往的、具备由连续的相变薄膜构成的记录层的信息记录介质的记录再生方法的一例的立体图。图4A是表示本专利技术的实施方式2的信息记录介质的、在表面形成有圆筒形的柱体的基板的一例的立体图，图4B是表示本专利技术的实施方式2的信息记录介质的一例的剖视图。图5是表示本专利技术的实施方式4的信息记录介质的制造方法的一例的、在由记录材料构成的膜上形成有规定图案的掩模的状态的剖视图。图6是表示本专利技术的实施方式4的信息记录介质的制造方法的一例的、在基板上形成有孤立的微小的记录区域的状态的剖视图。【具体实施方式】以下，参照【专利附图】【附图说明】本专利技术的实施方式。需要说明的是，以下的实施方式是例子，本专利技术不限定于以下的实施方式。另外，在以下的实施方式中，对于同一部分或要素标注相同的符号并省略重复的说明。(实施方式I)〈信息记录介质的结构1>以下，参照【专利附图】【附图说明】本专利技术的实施方式。附图均放大表示信息记录介质的一部分。图1表示本实施方式的信息记录介质的一例。本实施方式的信息记录介质100包括基板I和设于基板I上的记录层。该记录层由相变微粒子(由相变型的记录材料(相变记录材料)构成的微粒子)2构成。在基板I上以分别孤立的状态配置有多个相变微粒子2。基板I呈圆盘形状。在基板I上以分别孤立的方式排列有沿信息记录方向的长度为大致30nm以下的相变微粒子2。即，在本实施方式中，这些相变微粒子2作为微小的记录区域发挥功能。根据该结构，能对每个相变微粒子2、即每个微小的记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：土生田晴比古，久田和也，盐野照弘，古宫成，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：