【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种单芯片推挽桥式磁场传感器，其特征在于，它包括：一位于XY平面内的基片，其中XY平面由坐标轴X轴和Y轴来定义；至少一个由一个或多个磁电阻传感元件组成的推臂；至少一个由一个或多个磁电阻传感元件组成的挽臂；多个设置在所述基片上的推臂通量集中器和挽臂通量集中器，多个所述推臂通量集中器两两之间和多个挽臂通量集中器两两间均设置有一定的间隙，其中，所述推臂通量集中器与X轴正向的夹角为正而所述挽臂通量集中器与X轴正向的夹角为负，或者所述推臂通量集中器与X轴正向的夹角为负,而所述挽臂通量集中器与X轴正向的夹角为正；所述磁电阻传感元件的磁性钉扎层的磁化方向相同；各磁电阻传感元件均分别对应地位于两个相邻推臂通量集中器或两个相邻挽臂通量集中器之间的间隙处，以检测所述推臂通量集中器和所述挽臂通量集中器之间的磁场在X轴方向上分量的差值；所述磁电阻传感元件通过微电子连接和电子封装方法形成推挽电桥，并进行输入输出连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·G·迪克，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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