五点位三维磁场测量装置的磁滞效应消除电路制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种五点位三维磁场测量装置的磁滞效应消除电路，采用基于功率MOSFET管的脉冲产生电路，功率MOSFET管采用IRF7106芯片；IRF7106芯片的5-8脚短接后通过第一电容(C83)与磁传感器中的脉冲极化电路相接；IRF7106芯片的2脚(G1)接复位端(reset8)；单片机的另一个IO端口作为置位端(set8)。本电路结构简单，易于实施，能有效消除磁滞效应，提高磁场测量的准确度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种五点位三维磁场测量装置的磁滞效应消除电路，其特征在于，采用基于功率MOSFET管的脉冲产生电路，功率MOSFET管采用IRF7106芯片；IRF7106芯片的5?8脚短接后通过第一电容(C83)与磁传感器中的脉冲极化电路相接；IRF7106芯片的1脚和3脚分别接地和直流电源正端VCC1；IRF7106芯片的2脚(G1)接复位端(reset8)；复位端(reset8)为单片机的一个IO端口；单片机的另一个IO端口作为置位端(set8)，置位端(set8)通过第一电阻(R81)接NPN型的三极管(Q18)的基极；三极管(Q18)的射极接地，三极管(Q18)的集电极通过第二电阻(R82)接VCC...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任嘉，粟慧，张永忠，罗迎社，陈胜铭，粟建新，
申请(专利权)人：中南林业科技大学，
类型：实用新型
国别省市：