一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用，氧化锌纳米铅笔阵列电极是ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端；制备方法由ZnO种子层的制备，ZnO纳米棒阵列的制备，ZnO纳米铅笔阵列的制备三步构成。本发明专利技术的氧化锌纳米铅笔阵列电极采用液相合成方法，条件温和，操作容易，成本低廉；ZnO纳米铅笔结构能够提高光生电子-空穴对的密度，增大光生电流的强度，在外加电压为1V?vs?Ag/AgCl时的光电流密度为1.14mA/cm2，比同样尺寸的ZnO纳米棒高出约2倍，提高了材料的光解水效率，使得ZnO纳米铅笔能够作为光电阳极材料，应用于光电化学池光解水制氢领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氧化锌纳米铅笔阵列电极，其特征在于，ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端，所述ZnO主干纳米棒的直径为80?200nm，长度为1?2.5μm；所述ZnO针状尖端的直径为20?40nm，长度为50?400nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：巩金龙，吕睿，王拓，苏凤莉，张鹏，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：