【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低阻抗高透光ITO导电膜加工方法，其特征是，包括以下步骤：步骤一、对透明薄膜基材进行清洁，清洁操作的同时使用超声波增强清洁效果以彻底去除透明薄膜基材表面的氧化层和油污，透明薄膜基材厚度25μm~250μm，透明薄膜基材的可见光透过率为92%以上；步骤二、消除透明薄膜基材的静电；步骤三、利用磁控溅射将SiO2沉积到透明薄膜基材表面形成SiO2镀层，磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压350~450V，磁场强度500G，工艺气体采用氩气，SiO2镀层厚度为8~15nm，沉积时使透明薄膜基材的温度保持在95℃~98℃，得到初级基材薄膜；步骤四、对初级基材薄膜的SiO2镀层表面进行抛光，降低SiO2镀层的表面粗糙度，确保粗糙度不高于2nm；步骤五、利用磁控溅射将ITO沉积到初级基材薄膜的SiO2镀层表面形成ITO镀层，磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压150~180V，磁场强度1000G~1500G，工艺气体采用Ar?O2混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2:1，ITO镀层厚度为50nm~150nm，沉积时使透明薄膜基材的温度保持在92℃~98℃，得到ITO导电薄膜；步骤六、对...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林峰，徐浩，林楚越，
申请(专利权)人：上海冠旗电子新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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