一种石墨烯导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在石墨电极表面利用电化学方法沉积金属铜；在铜表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；将热释放胶带黏贴在石墨烯表面，将铜薄膜从石墨基底表面剥离得到胶带/石墨烯/铜的复合膜；以这种复合膜为阳极、石墨为阴极，利用电化学方法腐蚀除去复合膜最外层的铜，得到胶带/石墨烯复合膜；将复合膜上的石墨烯转移至透明基底上，最终得到石墨烯导电薄膜。本发明专利技术提供的石墨烯导电薄膜的制备方法，不仅能有效减少石墨烯的破损，而且将铜膜的制备和铜的腐蚀同步完成，缩短了制备时间，降低了成本，可用于大面积石墨烯导电薄膜的制备。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在电解质溶液中，以石墨为阴极、铜箔为阳极，利用电化学沉积方法在石墨电极表面沉积金属铜；将表面沉积有金属铜的石墨放入炉中，在氢气和甲烷气氛中，在高温条件下利用化学气相沉积方法在铜表面生长石墨烯；在石墨烯表面黏贴热释放胶带，并将铜薄膜从石墨基底表面剥离，得到由热释放胶带、石墨烯和铜组成的第一复合膜；在电解质溶液中，以石墨为阴极、所述第一复合膜为阳极，利用电化学方法腐蚀除去金属铜，得到由热释放胶带和石墨烯组成的第二复合膜，并在阴极石墨表面沉积得到金属铜薄膜；将所述第二复合膜放置在透明基底表面上，并使石墨烯与透明基底直接接触，在加热条件下除去热释放胶带，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张大勇，金智，史敬元，麻芃，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：