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本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在石墨电极表面利用电化学方法沉积金属铜；在铜表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；将热释放胶带黏贴在石墨烯表面，将铜薄膜从石墨基底表面剥离得到胶带/石墨烯/铜...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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