一种集成磁传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种集成磁传感器，包括衬底、铂电极、各向异性磁电阻传感层、金电极、霍尔传感层，其中，铂电极生长在衬底上，各向异性磁电阻传感层生长在铂电极上，金电极生长在各向异性磁电阻传感层上，霍尔传感层生长在金电极上。本实用新型专利技术将电极、各向异性磁电阻传感层、霍尔传感层交替排列，增加了电子在界面处的全反射，提高传感器的灵敏度。此外，本实用新型专利技术保证了传感器结构简单、低成本制造的优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成磁传感器，包括衬底、铂电极、各向异性磁电阻传感层、金电极、霍尔传感层，其特征在于：所述的铂电极生长在衬底上，各向异性磁电阻传感层生长在铂电极上，金电极生长在各向异性磁电阻传感层上，霍尔传感层生长在金电极上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴翔昊，彭绪山，熊红斌，
申请(专利权)人：吴翔昊，
类型：实用新型
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