银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法技术

本发明专利技术属于传感器技术领域，具体公开了一种银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法，所述传感器包括压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)，所述压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)由上至下依次叠置，并在真空环境中进行共晶键合。本发明专利技术具有制造工艺简单、成本低、压力器件性能好的优点，具有良好的重复性，可批量生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应变式MEMS压力传感器，包括压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)，所述压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)由上至下依次叠置，其特征在于，所述焊片(2)将所述压力检测片(1)和所述封接片(3)在真空环境中进行共晶键合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜利东，赵湛，方震，肖丽，陈继超，刘启明，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：