发声器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发声器件，包括扬声器单体和收容固定所述扬声器单体的外围壳体；所述扬声器单体包括振膜；所述振膜后侧的空间构成后声腔，所述后声腔由所述扬声器单体和所述外围壳体共同形成，并且所述后声腔为密封的结构，其中，所述振膜上设有连通振膜两侧的泄露孔，所述泄露孔为孔状或狭缝状结构。这种结构使后声腔中的气流得到平衡，调节音质，从而提高了这种后声腔完全密封的发声器件的声学性能。?

【技术实现步骤摘要】
发声器件
本专利技术涉及电声领域，具体涉及一种发声器件。
技术介绍
发声器件包括扬声器单体和外围壳体，扬声器单体包括振动系统，磁路系统，以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的保护框架。振动系统通常包括振膜和结合于振膜下侧的音圈，磁路系统形成收容音圈的磁间隙。发声器件振膜前侧的空间形成前声腔，振膜后侧的空间形成后声腔，前声腔和后声腔为相互隔离的结构。其中后声腔为扬声器单体与外围壳体之间围城的空间，现有技术中在外围壳体上对应于后声腔的位置设有连通外界的阻尼孔，阻尼孔主要用于散热和平衡后声腔内的气压，使振膜可以自由振动。但是，发声器件最终是配合终端产品应用的，其具体结构需要针对终端产品进行改进。特定情况下，发声器件的后声腔为密封的结构，对于这种结构后声腔中的气压不均衡，影响振膜的振动，容易造成听音不良等缺陷。因此，需要提供一种新的解决方案，以调整这种后声腔密封的发声器件的声学性能。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种发声器件，可以平衡后声腔内的气流，调节产品的音质，从而提高产品的声学性能。为了实现上述目的，本专利技术提供一种发声器件，包括扬声器单体和收容固定所述扬声器单体的外围壳体；所述扬声器单体包括振膜；所述振膜后侧的空间构成后声腔，所述后声腔由所述扬声器单体和所述外围壳体共同形成，并且所述后声腔为密封的结构，其中，所述振膜上设有连通振膜两侧的泄露孔，所述泄露孔为孔状或狭缝状结构。此外，优选的方案是，所述球顶部上设有所述泄露孔。此外，优选的方案是，所述折环部上设有所述泄露孔。此外，优选的方案是，所述球顶部和所述折环部上均设有所述泄露孔。此外，优选的方案是，所述泄露孔的面积小于所述振膜总振动面积的2%。此外，优选的方案是，狭缝状的所述泄露孔与所述折环部和/或球顶部的直线边平行或垂直设置。此外，优选的方案是，狭缝状的所述泄露孔于所述折环部和/或球顶部的直线边呈一定角度设置。此外，优选的方案是，所述振膜上同时设置孔状或狭缝状的泄露孔。可以使密封的后声腔中的热量和气压通过振膜上的泄露孔与外界进行流通，从而使后声腔中的气流得到平衡，使振膜的能够自由移动，并且这种结构可调节音质，从而提高了这种后声腔完全密封的发声器件的声学性能。附图说明通过下面结合附图对本专利技术进行描述，本专利技术的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。图1是本专利技术扬声器单体的立体分解结构示意图。图2是本专利技术发声器件的剖视图。图3是本专利技术在球顶部上设置泄露孔的一种实施方案的结构示意图。图4是本专利技术在球顶部上设置泄露孔的一种改进方案的结构示意图。图5是本专利技术在球顶部上设置泄露孔的一种改进方案的结构示意图。图6是本专利技术振膜折环部上设置泄露孔的一种实施方案的结构示意图。图7是本专利技术折环部上设置泄露孔的一种改进方案的结构示意图。图8是本专利技术折环部上设置泄露孔的一种改进方案的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述。如图1和图2所示，发声器件包括扬声器单体和收容固定扬声器单体的外围壳体5。其中，扬声器单体主要包括振动系统，磁路系统，以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的保护框架，还包括电连接发声器件内部电路和外部电路的电连接件4。振动系统包括振膜，结合于振膜下侧的音圈24，以及定心支片23；定心支片23与音圈24固定结合，防止音圈24振动过程中发生偏振；本实施例振膜由两部分组成，包括位于中心位置的刚性的球顶部22和位于边缘位置的柔性的折环部21，球顶部22采用刚性结构可以防止振膜高频段发生分割振动，有利于提高产品的声学性能。磁路系统为双磁路结构，包括由上而下依次结合的位于中心位置的内华司311和内磁铁312，位于边缘位置的由上而下依次结合的外华司321和外磁铁322，以及位于外磁铁322和内磁铁312下侧的导磁的导磁板33，所述磁路系统形成收容音圈24的磁间隙，即内磁路和外磁路之间形成磁间隙，音圈24收容于磁间隙中。前盖11扣接于外壳12上侧面，前盖11与外壳12共同形成扬声器单体的保护框架。本实施例的发声器件为正面出声的结构，包括位于振膜前侧的前声腔和位于振膜后侧的后声腔I，如图2所示，本实施例振膜前侧的空间直接与外界连通。后声腔I由扬声器单体和外围壳体5共同围城，本专利技术后声腔I为完全密封的结构，即不具有传统技术中的阻尼孔。作为一种改进，本专利技术在振膜上设有泄露孔，通过泄露孔可以弥补后声腔I没有阻尼孔带来听音不良等缺陷。如图3至图5所示，在振膜的球顶部22上设有所述泄露孔，泄露孔的形状可以为孔状或狭缝状。如图3所示，泄露孔221a为狭缝状结构，设置于球顶部22的两个角部，其中，狭缝状泄露孔221a的尺寸、数量和位置等条件需要根据实际情况进行调整，不限于图示结构。图4所示泄露孔221b为圆形的孔状结构，位于球顶部的中心位置，孔状结构泄露孔221b的形状不限于图示结构，也可以为矩形或三角形等其他结构，并且泄露孔221b的尺寸、数量和位置不限于图示结构。图5所示的泄露孔221c为两种直径不同的圆形孔状结构，分别位于球顶部22的中心位置和四个角部，实施例中中心位置处圆形泄露孔221c的孔径大于四个角部位置泄露孔221c的孔径，同样泄露孔221c孔径的大小、形状、位置、数量等不限于图示结构，应根据实际情况进行调整。此外，球顶部22上的泄露孔也可以同时包含孔状和狭缝状结构，在此不再详述。如图6至图7所示，可以在振膜的折环部21上设置所述泄露孔。同样泄露孔的形状可以为孔状或狭缝状结构。如图6所示，泄露孔211a设置于矩形振膜折环部21的四条边上，并且与对应边所在的直线垂直，为狭缝状结构。图7所示结构的泄露孔211b也位于矩形振膜折环部21的四条直线边上，泄露孔211b延伸的方向与所在边平行设置。图8所示泄露孔211c设置于折环部21的四条直线边上，为圆形孔状结构，圆形泄露孔211c孔径的大小不限，孔状泄露孔211c的具体形状不限，需根据实际情况进行调整。此外，需要说明的是，上述泄露孔的形状、尺寸、数量等均不限于上述实施例，可根据实际情况进行调整，并且孔状结构和狭缝状结构的泄露孔可进行随机的组合。此外，泄露孔也可同时设置于球顶部22和折环部21上。优选的，本专利技术泄露孔的面积小于振膜总振动面积的2%，在该比例范围内即不会造成前后声腔短路，而且可以调节产品的音质。其中，振膜总振动面积是指振膜在垂直于其振动方向的平面上的正投影的面积。上述在振膜上设置泄露孔的结构，可以使密封的后声腔I中的热量和气压通过振膜上的泄露孔与外界进行流通，从而使后声腔I中的气流得到平衡，使振膜的能够自由移动，并且这种结构可调节音质，从而提高了这种后声腔I完全密封的发声器件的声学性能。在本专利技术的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进和变形，而这些改进和变形，都落在本专利技术的保护范围内，本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本专利技术的目的，本专利技术的保护范围由权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发声器件，包括扬声器单体和收容固定所述扬声器单体的外围壳体；所述扬声器单体包括振膜；所述振膜后侧的空间构成后声腔，所述后声腔由所述扬声器单体和所述外围壳体共同形成，并且所述后声腔为密封的结构，其特征在于，所述振膜上设有连通振膜两侧的泄露孔，所述泄露孔为孔状或狭缝状结构。

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，包括扬声器单体和收容固定所述扬声器单体的外围壳体；所述扬声器单体包括振动系统和磁路系统，所述振动系统包括振膜，所述振膜包括位于中心位置的球顶部和位于边缘位置的折环部；所述振膜后侧的空间构成后声腔，所述后声腔由所述扬声器单体和所述外围壳体共同形成，并且所述后声腔为密封的结构，其特征在于，所述振膜上设有连通振膜两侧的泄露孔，所述泄露孔为孔状或狭缝状结构。2.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述球顶部上设有所述泄露孔。3.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述折环部上设有所述泄...

【专利技术属性】
技术研发人员：王继宗，王泽，葛连山，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：