【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种采用多步梯度扩散法制备晶体硅电池片的方法，采用梯度扩散法在P型晶体硅表面进行高温掺杂磷得到N型晶体硅，形成P?N结，其特征在于：包括以下步骤，1）将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600?900s；2）分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气；3）炉内温度恒温到860℃，同时通入氧气、氮气、磷源；4）分四步降低炉内温度，从860℃逐渐降低至852℃，同时通入磷源、氧气、氮气，时间为800s；5）直接将炉管温度从852℃降低至800℃，同时通入氧气、氮气，300s后退火；6）退火后，通入氮气，800s后出舟。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：傅强，董道宴，张崇超，
申请(专利权)人：九州方园新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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