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本发明涉及一种晶体硅电池片的生产技术，具体涉及一种晶体硅电池片扩散制程领域。具体方法为将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600-900s；分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气；炉内温度恒温到860℃，同...
该专利属于九州方园新能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过九州方园新能源股份有限公司授权不得商用。

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