【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种膜，其包括至少两层，层A和层B，以及其中层(A)是由包含至少一种选自式A的化合物的组合物A形成的：(式A)，其中Np选自1?萘基或2?萘基，以及其中各R独立地选自以下：i)具有或不具有取代基的(C6?C30)芳基，ii)与一个或多个具有或不具有取代基的(C3?C30)环烷基稠合的取代或未取代的(C6?C30)芳基，iii)具有或不具有取代基的(C3?C30)杂芳基，iv)具有或不具有取代基的5?7元杂环烷基，v)与一个或多个芳环稠合的取代或未取代的5?7元杂环烷基，vi)具有或不具有取代基的(C3?C30)环烷基，vii)与一个或多个芳环稠合的取代或未取代的(C3?C30)环烷基，viii)具有或不具有取代基的金刚烷基，或ix)具有或不具有取代基的(C7?C30)双环烷基，；以及其中层B由包含至少一种“HTL化合物”的组合物B形成；以及其中层A与层B不相邻。FSA00000906280600011.tif
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·威尔什，M·E·翁达里，MK·奇，金奉玉，R·D·弗洛伊斯，M·M·梅耶，权赫柱，崔庆勋，YJ·乔，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，罗姆哈斯电子材料韩国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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