本发明专利技术公开一种图形化传输层、包含该图形化传输层的OLED器件及制备方法，其中图形化传输层包括导电的高折射率区域和导电的低折射率区域，所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值＞0.2，该图形化传输层设置于OLED器件的第一电极和有机电致发光层之间，可以有效减少OLED器件的光全反射的量，提高了OLED器件的光取出效率，并且本发明专利技术提供的方法实施简单，易于集成，效果明显。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光器件，具体涉及一种图形化传输层、包含该图形化传输层的OLED器件及制备方法。
技术介绍
OLED (Organic Light-Emitting Diode)即有机发光二极管，作为显示器件时具有宽视角、响应快、色域宽等优点，作为照明器件时具有平面化，无汞污染、高效率等特色，是下一代显示和照明的发展趋势。典型的OLED器件结构中，由于各层材料的折射率不一致造 成的全反射，使得通过OLED器件发射层发出的光大部分被限制在器件中不能有效的输出到器件外，也即光耦合效率低。提高光提取效率的方法包括内取出及外取出。外取出主要是在基板的发光面贴附散射层，或者微透镜膜层，来达到减少玻璃到空气的全反射，提高效率的目的。而内取出包括在OLED器件内引入散射层，如专利US2001/0026124 Al中公开的Light extractionfrom color changing medium layers in organic light emitting diode devices。或者在玻璃及ITO间引入光栅层，如2008年7月11日发表在《LETTERS》第483-487页的文章“Enhanced light out-coupling of organic light-emitting devices using embeddedlow-index grids”,公开如图I所示的OLED器件,其给出了在ITO基板上设置一层低折射率网格层，该低折射率网格层可以改变有机发光层发光射出的方向，减少有机电致发光层发出的光全反射的量，由此可以提高光输出的效率。该方案通过加入低折射层，改变光的出射光路，提高了光输出耦合效率，所以当插入的栅格层折射率越低，效果越明显。同时该方案中的低折射率网格层所选择的材料为绝缘材料，结合图I所示的OLED的结构，可知与低折射率网格层相对应位置所设置的有机发光层，没有电荷通过，无法受到激发，因此也就不能发光，因此上述OLED器件实际发光面积比例会降低，发光强度会受到影响。同时该方案中的低折射栅格层需要采用溅射及干刻得方法制备图形，工艺相对复杂。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有方案中结构相对复杂、制备工艺特殊且OLED器件在提高光输出耦合效率的同时损失了有效发光面积，导致OLED器件的发光强度降低等缺点进而提供一种能够提高光输出耦合效率同时不影响OLED器件发光面积的图形化传输层、设置该图形化传输层的OLED器件及其制备方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种图形化传输层，所述图形化传输层包括导电的高折射率区域和导电的低折射率区域，所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值> 0.2。所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值> 0. 3。所述高折射率区域，折射率在I. 8-3. 0 ;所述低折射率区域，折射率在I. 6-2. 3。所述折射率在I. 8-3. 0的区域，由单独一种折射率在I. 8-3. 0的高折射率材料制备，或者采用不同材料的混合物制备。所述高折射率区域，折射率在I. 6-2. 3 ;所述低折射率区域，折射率在I. 1-1. 6。所述高折射率区域，单独采用折射率在I. 6-2. 3的材料； 或者采用折射率在I. 1-1. 6的材料与折射率在I. 6-2. 3的材料的混合物；所述折射率在I. 1-1. 6的材料占10-90重量份，所述折射率在I. 6-2. 3的材料占10-90重量份； 或者采用折射率在I. 1-1. 6的材料与折射率在I. 8-3. 0的材料的混合物；所述折射率在I. 1-1. 6的材料占10-90重量份，所述折射率在I. 8-3. 0的材料占10-90重量份； 或者采用折射率在I. 6-2. 3的材料与折射率在I. 8与3. 0的材料混合得到，所述折射率在I. 6-2. 3的材料占10-90重量份，所述折射率在I. 8与3. 0的材料占10-90重量份。 所述高折射率区域，折射率在I. 8-3. 0 ;所述低折射率区域，折射率在I. 1-1. 6。所述折射率在I. 1-1. 6的低折射率区域，单独采用折射率在I. 1-1. 6的材料； 或者采用折射率在I. 1-1. 6的材料与折射率在I. 6-2. 3的材料的混合物；所述折射率在I. 1-1. 6的材料占10-90重量份，所述折射率在I. 6-2. 3的材料占10-90重量份； 或者采用折射率在I. 1-1. 6的材料与折射率在I. 8-3. 0的材料的混合物，所述折射率在I. 1-1. 6的材料占10-90重量份，所述折射率在I. 8-3. 0的材料占10-90重量份。所述折射率为I. 1-1. 6的材料包含以下无机材料MgF2、CaF2、SiO2、BaF、B2O3、NaF、A1F3、SiO、SiO2, LiF、Na3AlF6' KF、CdF2' DyF3, LaF3' WO3 中的一种或几种； 所述折射率为I. 1-1. 6的材料包含以下有机材料Teflon、Pedot-pss中的一种或几种。所述折射率为I. 8-3. 0 的材料包含 ZnSe、ZnS、Ti02、Sb2S3、Zr02、Ba0、BaS、BaTi03、Bi2O3J2O5中的一种或几种。所述折射率为I. 6-2. 3的材料为空穴传输材料，包含 铜酞菁、4，4 ’，4 三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺、4，4 ’，4 三(N-2-萘基-N-苯基-氨基)-三苯基胺、N，N，- 二- (1-萘基)_队^ - 二苯基-1，1’ -联苯基-4，4’ - 二胺、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)_聚(苯乙烯磺酸))中的一种或几种。所述折射率为I. 6-2. 3的材料为电子传输材料,包含 金属螯合物、恶唑衍生物、二氮菲衍生物、二氮蒽衍生物、含矽杂环化合物中的一种或几种。所述高折射率区和所述低折射率区以条形间隔排列。所述高折射率区和所述低折射率区排布为点阵式网孔图案，所述网孔包括但不限于圆形孔、六边形孔、矩形孔、正方形孔、椭圆形孔、三角形孔。本专利技术还提供一种OLED器件，包括玻璃及沿远离玻璃方向依次设置的ITO基板、第一电极、上述的图形化传输层、有机电致发光层、第二传输层、第二电极。本专利技术还提供一种制备上述OLED器件的方法，包括如下步骤 SI，清洗ITO基板，烘干后进行等离子处理； 52、采用真空蒸镀或者丝网印刷或者旋涂、刮涂的方法制备上述的图形化传输层； 53、在所述图形化传输层上制备有机电致发光层，所述有机电致发光层覆盖图形化传输层;54、在所述有机电致发光层上蒸镀第二传输层； 55、在所述第二传输层上蒸镀第二电极。本专利技术的上述技术方案与现有技术相比至少具有以下有益效果 (I)本专利技术中的图形化传输层，包括可以导电的高折射率区域和低折射率区域，并且高折射率区域和低折射率区域排布为图形化的结构，由于高折射率区域和低折射率区域的折射率之差大于0. 2，因此当有光线入射到低折射率区域/高折射率区域时发生若干次全反射之后会经过高折射率区域/低折射率区域,此时由于折射率发生改变，因此光的传输方向会发生改变，通过改变光的传输方向，可以使得原先全反射的光线能够发生折射，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种图形化传输层，其特征在于：所述图形化传输层包括导电的高折射率区域和导电的低折射率区域，所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值＞0.2。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，段炼，张国辉，王静，董艳波，
申请(专利权)人：昆山维信诺显示技术有限公司，清华大学，北京维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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