电力用半导体装置制造方法及图纸

技术编号:9199348 阅读:114 留言:0更新日期:2013-09-26 03:18
实施例的电力用半导体装置包括设置有MOSFET元件的元件部、以及设置在元件部的周围的终端部,具有分别设置在半导体基板的相互平行的多个板状区域内的柱层,该电力用半导体装置具备多个第1沟槽以及第1绝缘膜。多个第1沟槽分别设置在从所述MOSFET元件的源极电极露出的所述终端部的所述半导体基板中的所述板状的区域的两端部之间。所述第1绝缘膜设置在各个所述第1沟槽的侧面以及底面。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电力用半导体装置,包括设置有电力用半导体元件的元件部、以及设置在所述元件部的周围的终端部,该电力用半导体装置的特征在于,具备:第1导电型的半导体基板;第2导电型的第1杂质层,设置在所述半导体基板的上表面中的所述元件部的一部分;第1导电型的第2杂质层,设置在所述第1杂质层的上表面的一部分;栅极电极,设置为经由栅极绝缘膜相接到所述第1杂质层;第1电极,设置于所述半导体基板的下表面;第2电极,设置在所述半导体基板的所述上表面上,使得至少相接于所述第1杂质层;多个第2导电型的柱层,设置在所述第2电极之下以及从所述第2电极露出的所述终端部的所述半导体基板中的、相互平行排列的多个板状的区域内,该多个板...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:小野昇太郎泉泽优大田浩史山下浩明
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:

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