【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大尺寸碳化硅(SiC)单晶的切割方法,属于晶体材料加工
技术介绍
SiC是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后发展起来的重要的第三代半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度等特点,在高温、高频、大功率、微电子器件等方面具有巨大的应用潜力。生长出高质量的大直径SiC单晶后,要将晶棒切割成晶片,经过磨抛加工,制备成表面无缺陷、无损伤、超光滑的厚度在0.2~0.3mm的衬底,然后在其上经过外延生长或其他半导体器件工艺,制备成高性能的半导体器件。衬底表面质量和精度的优劣,将直接影响到其器件的性能。因此在加工过程中必须达到以后工序要求的平整度、平行度等要求,最大限度减少晶片损伤层。切片是SiC单晶由晶棒变成晶片的一个重要步骤,这一工序决定了晶片在以后工序中翘曲度大小,同时此晶片的厚度对以后工序的效率如晶面研磨、抛光等都有决定性的影响。而且SiC晶片是一种非常昂贵的材料,目前国际市场上的价格一般在1000美金以上,因此加工过程中提高切割效率,减少损失,提高材料利用率是非常重要的。总之,对SiC单晶切割的要求是切片翘 ...
【技术保护点】
一种大直径SiC单晶的切割方法,其特征在于,使用线切割机,采用直径为150μm至450μm、外层镀有金刚石颗粒的金刚石切割线,利用金刚石切割线的高速往复运动,实现对直径不小于2英寸的SiC单晶棒的切割。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:徐现刚,胡小波,陈秀芳,李娟,蒋民华,
申请(专利权)人:山东大学,
类型:发明
国别省市:88[中国|济南]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。