大直径SiC单晶的切割方法技术

大直径ＳｉＣ单晶的切割方法，属于晶体材料加工技术领域。使用线切割机，采用直径为１５０μｍ至４５０μｍ、外层镀有金刚石颗粒的金刚石切割线，利用金刚石切割线的高速往复运动，实现对大直径ＳｉＣ单晶棒的切割。本发明专利技术具有以下优点：１．可实现直径不小于２英寸的ＳｉＣ单晶的连续切割；２．由于金刚石线线径小，因此刀缝损失小，刀痕浅，对晶片造成的损伤小，而且可以切出最小厚度达２００μｍ的晶片，极大地节省了成本；３．切割出的晶片翘曲度小，厚度均匀性好，给后续的工艺提供了方便；４．工艺简单，操作方便，自动化程度高，切割精度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种大尺寸碳化硅(SiC)单晶的切割方法，属于晶体材料加工

技术介绍
SiC是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后发展起来的重要的第三代半导体材料，具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度等特点，在高温、高频、大功率、微电子器件等方面具有巨大的应用潜力。生长出高质量的大直径SiC单晶后，要将晶棒切割成晶片，经过磨抛加工，制备成表面无缺陷、无损伤、超光滑的厚度在0.2～0.3mm的衬底，然后在其上经过外延生长或其他半导体器件工艺，制备成高性能的半导体器件。衬底表面质量和精度的优劣，将直接影响到其器件的性能。因此在加工过程中必须达到以后工序要求的平整度、平行度等要求，最大限度减少晶片损伤层。切片是SiC单晶由晶棒变成晶片的一个重要步骤，这一工序决定了晶片在以后工序中翘曲度大小，同时此晶片的厚度对以后工序的效率如晶面研磨、抛光等都有决定性的影响。而且SiC晶片是一种非常昂贵的材料，目前国际市场上的价格一般在1000美金以上，因此加工过程中提高切割效率，减少损失，提高材料利用率是非常重要的。总之，对SiC单晶切割的要求是切片翘曲度小、厚度均匀、刀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大直径ＳｉＣ单晶的切割方法，其特征在于，使用线切割机，采用直径为１５０μｍ至４５０μｍ、外层镀有金刚石颗粒的金刚石切割线，利用金刚石切割线的高速往复运动，实现对直径不小于２英寸的ＳｉＣ单晶棒的切割。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐现刚，胡小波，陈秀芳，李娟，蒋民华，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]