一种三维量子阱结构光电裸芯片制造技术

一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型专利技术自下而上包括：衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层、p型层，所述衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层和p型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型专利技术增大了衬底层工作面积，在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配，克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题；本实用新型专利技术工艺简单、成本低，工作面积与衬底面积之比较高，量子转换效率高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种三维量子阱结构光电裸芯片，自下而上包括：衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层、p型层，其特征在于：所述衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层和p型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪学方，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：实用新型
国别省市：