一种光电耦合式开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种光电耦合式开关，其特征在于：包括控制端口，所述的控制端口同时连接在第一二极管的阳极和光电耦合芯片的CATHODE引脚相连，所述的第一二极管的阴极通过第一电阻与接地的第一电容相连，所述的第一二极管的阴极与光电耦合芯片的COLLECTOR引脚相连且通过第二电阻与光电耦合芯片的ANODE引脚相连，所述的光电耦合芯片的EMITTER引脚与可控硅的G极相连，所述的可控硅的K极接地且A极通过继电器与第一二极管的阴极相连，可控硅的A极同时连接在第二二极管的阳极，所述的第二二极管的阴极与第一二极管的阴极相连，其开关的可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开关领域，具体地，涉及一种光电耦合式远控开关。
技术介绍
常用的光电耦合开关有发光二极管和光敏二极管构成，发光半导体在光敏元件旁边，通过施加在发光半导体二端的电压而使发光半导体发光，再由发光半导体的光线触发光敏元件，而使连接在关敏元件两端的电路导通。为了实现器件的智能化，现在越来越多的电子设备采用远控技术。远控开关是远控技术中很重要的一方面。怎样实现远控开关的可靠性，是十分重要的。
技术实现思路
本技术为了解决上述技术问题提供一种光电耦合式开关，其开关的可靠性高。本技术解决上述问题所采用的技术方案是：一种光电耦合式开关，其特征在于：包括控制端口，所述的控制端口同时连接在第一二极管的阳极和光电耦合芯片的CATHODE引脚相连，所述的第一二极管的阴极通过第一电阻与接地的第一电容相连，所述的第一二极管的阴极与光电耦合芯片的COLLECTOR引脚相连且通过第二电阻与光电耦合芯片的ANODE引脚相连，所述的光电耦合芯片的EMITTER引脚与可控硅的G极相连，所述的可控硅的K极接地且A极通过继电器与第一二极管的阴极相连，可控硅的A极同时连接在第二二极管的阳极，所述的第二二极管的阴极与第一二极管的阴极相连。作为优选，所述的光电耦合芯片的EMITTER引脚上连接有接地的第二电容。作为优选，所述的第一电阻的阻值为1欧姆至10欧姆。作为优选，所述的光电耦合芯片为TLP621。作为优选，所述的第二电阻的阻值为12千欧姆。作为优选，所述的第一二极管和第二二极管的均为IN5408。综上，本技术的有益效果是：本技术的电子开关，其利用二极管的单向导电性和光电耦合芯片的光电耦合性、信号单向性实现对继电器的控制，提高整个开关的可靠性。附图说明图1是本技术的电路原理图。具体实施方式下面结合实施例及附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1：如图1所示的一种光电耦合式开关，其特征在于：包括控制端口，所述的控制端口同时连接在第一二极管D1的阳极和光电耦合芯片的CATHODE引脚相连，所述的第一二极管D1的阴极通过第一电阻R1与接地的第一电容C1相连，所述的第一二极管D1的阴极与光电耦合芯片的COLLECTOR引脚相连且通过第二电阻R2与光电耦合芯片的ANODE引脚相连，所述的光电耦合芯片的EMITTER引脚与可控硅S的G极相连，所述的可控硅S的K极接地且A极通过继电器J与第一二极管D2的阴极相连，可控硅S的A极同时连接在第二二极管D2的阳极，所述的第二二极管D2的阴极与第一二极管D1的阴极相连。本专利技术的控制端口电源来自电子设备机内受远控电路控制的开关电源。电子设备开机后，控制端口的电压通过第一二极管和第一电阻向第一电容充电，光电耦合芯片内部的发射二极管成截止状态，可控硅不导通，电源开关自锁，电子设备正常工作。在用远控器关机后，电子设备内的电压消失，由于第一二极管的单向导电性，第一电容蓄存的电源只能通过第二电阻和光电耦合芯片的发射二极管向控制端口电压的负载回路放电，光电耦合芯片的光敏接收管导通，可控硅的G极得电触发导通，继电器瞬间吸合，电源开关开释，电子设备实现远控关机。采用本专利技术的电子开关，其利用二极管的单向导电性和光电耦合芯片的光电耦合性、信号单向性实现对继电器的控制，提高整个开关的可靠性。实施例2：如图1所示的一种光电耦合式开关，本实施例在上述实施例的基础上做了优化，即所述的光电耦合芯片的EMITTER引脚上连接有接地的第二电容C2。在光电耦合芯片的EMITTER引脚上连接一个接地电容，即在可控硅的G极连接一接地电容，可有效的起到抑制干扰作用，防止可控硅误触发。第一电阻在电路中起防护作用，但是其值不应过大，避免在关机过程中消耗掉过多第一电容的电能，优选的，所述的第一电阻的阻值为1欧姆至10欧姆。为了提高开关的可靠性，所述的光电耦合芯片为TLP621。所述的第二电阻的阻值为12千欧姆。所述的第一二极管和第二二极管的均为IN5408。如上所述，可较好的实现本技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电耦合式开关，其特征在于：包括控制端口，所述的控制端口同时连接在第一二极管的阳极和光电耦合芯片的CATHODE引脚相连，所述的第一二极管的阴极通过第一电阻与接地的第一电容相连，所述的第一二极管的阴极与光电耦合芯片的COLLECTOR引脚相连且通过第二电阻与光电耦合芯片的ANODE引脚相连，所述的光电耦合芯片的EMITTER引脚与可控硅的G极相连，所述的可控硅的K极接地且A极通过继电器与第一二极管的阴极相连，可控硅的A极同时连接在第二二极管的阳极，所述的第二二极管的阴极与第一二极管的阴极相连。

【技术特征摘要】
1.一种光电耦合式开关，其特征在于：包括控制端口，所述的控制端口同时连接在第一二极管的阳极和光电耦合芯片的CATHODE引脚相连，所述的第一二极管的阴极通过第一电阻与接地的第一电容相连，所述的第一二极管的阴极与光电耦合芯片的COLLECTOR引脚相连且通过第二电阻与光电耦合芯片的ANODE引脚相连，所述的光电耦合芯片的EMITTER引脚与可控硅的G极相连，所述的可控硅的K极接地且A极通过继电器与第一二极管的阴极相连，可控硅的A极同时连接在第二二极管的阳极，所述的第二二极管的阴极与第一二极管的阴极相连。
2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓青，
申请(专利权)人：成都思迈科技发展有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51