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一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层、p型层，所述衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层和p型层...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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