一种制备高纯钴的隔膜电解槽制造技术

技术编号:9181921 阅读:125 留言:0更新日期:2013-09-20 04:04
本实用新型专利技术属于高纯金属制备设备技术领域,特别涉及一种制备高纯钴的隔膜电解槽。该电解槽内设计有可供便捷拆卸隔膜板的凹槽,隔膜板完全嵌入凹槽中,凹槽和隔膜板将电解槽分隔成数量与极间距相等且间隔排列的多个阴极区与阳极区;电解液经净化,进入阴极区,再通过隔膜板的上部溢流孔流入阳极区,阳极区的电解液循环到槽外进行净化处理。电解槽内的阴极区和阳极区的电解液被完全隔开,防止了电解液的交叉污染,有效阻止了可溶阳极杂质阳离子污染阴极产品。上述装置结构简单,可操作性强,防止了传统隔膜袋阴极区电解液被阳极区电解液污染现象,提高了电流效率,并且提升了产品的纯度,可制备出纯度>99.999%的高纯钴。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备高纯钴的隔膜电解槽,其特征在于:槽体(1)中均匀分布多个凹槽(2),每个凹槽(2)上固定一个隔膜板(6);隔膜板(6)下部为隔膜(7),上部设置有一排均匀分布的上部溢流孔(8);凹槽(2)与隔膜板(6)将槽体(1)均匀分割成数量与极间距相等且间隔排列的阴极区(4)和阳极区(5),每个阳极区(5)下部的槽体(1)后壁上设置有一个底部溢流孔(3);位于一端的阴极区(4)的凹槽(2)不与槽体(1)底板接触,其余凹槽(2)均与槽体(1)底板相连;槽体(1)后壁外接溢流槽(10),溢流槽(10)外接出水管(11)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘丹贺昕熊晓东李轶轁滕海涛陈斐吴聪吴松
申请(专利权)人:有研亿金新材料股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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