位置传感器制造技术

技术编号:9129280 阅读:152 留言:0更新日期:2013-09-05 23:54
本实用新型专利技术涉及一种位置传感器,包括第一基底和导电层,所述第一基底包括第一表面,所述导电层包括:第一聚合物层,所述第一聚合物层形成于所述第一基底的第一表面,所述第一聚合物层的表面设有第一网格状的沟槽且所述第一网格状的沟槽内填充有导电材料,在所述第一聚合物层形成第一感应区;及第一引线电极;所述第一引线电极与所述第一网格状的沟槽内填充的导电材料电性连接。上述位置传感器,第一网格状的沟槽是基于压印技术压印得到的,而第一引线电极是由设在所述第一聚合物层上的导电材料形成,因此第一引线电极与第一感应区的制作相互之间不会受到彼此的影响,从而得到引线区良率较高的位置传感器。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种位置传感器,包括第一基底和导电层,所述第一基底包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,其特征在于,所述导电层包括:第一聚合物层,所述第一聚合物层形成于所述第一基底的第一表面,所述第一聚合物层的表面设有基于压印技术得到的第一网格状的沟槽且所述第一网格状的沟槽内填充有导电材料,在所述第一聚合物层形成第一感应区;及第一引线电极,所述第一引线电极由设在所述第一聚合物层上的导电材料形成;所述第一引线电极与所述第一网格状的沟槽内填充的导电材料电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高育龙方运周菲
申请(专利权)人:南昌欧菲光科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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