芯片内部温度控制装置以及实验仪制造方法及图纸

技术编号:9129117 阅读:156 留言:0更新日期:2013-09-05 23:50
一种芯片内部温度控制装置,在同一半导体芯片上集成了电加热系统、测温传感器以及含有被测PN结的晶体三极管,采用电加热系统、测温传感器及控制器进行芯片内部温度控制。实验仪包括电源箱、控温台、显示台和电路演示板;控温台包括处理器、驱动电路、环境温度传感器、半导体芯片、控温旋钮、显示单元;控温旋钮连接处理器的温控信号输入端;半导体芯片上集成了含有用于被测PN结的测量用三极管、用于加热的片内加热三极管和用于测量芯片内部温度的片内感温三极管;测量用三极管的基极、发射极和集电极上分别连接有接线端子;处理器的加热电流信号输出端控制片内加热三极管基极和发射极;片内感温三极管的基极b和射极e连接模数转换器的输入端。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种芯片内部温度控制装置,其特征是包括电源模块、处理器、驱动电路、半导体芯片、控温旋钮、显示单元、模数转换器和数模转换器;电源模块为本芯片内部温度控制装置提供带电源;控温旋钮连接处理器的温控信号输入端;所述半导体芯片上集成了至少三个相互独立的三极管;这些三极管中包括:含有用于被测PN结的测量用三极管、用于加热的片内加热三极管和用于测量芯片内部温度的片内感温三极管;所述测量用三极管的基极、发射极和集电极上分别连接有接线端子,接线端子分别标识为b、e和c;所述处理器的加热电流信号输出端通过数模转换电路连接控制驱动电路,驱动电路的驱动电流输出端连接片内加热三极管基极和发射极,该基极和发射极之间的PN...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:雷撼张凯宋建平
申请(专利权)人:南京千韵电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1