字线启动电路、半导体存储装置以及半导体集成电路制造方法及图纸

若在信号(IN)是“H”，NMOS晶体管(403)处于导通状态时，信号(PCLK)成为“H”，PMOS晶体管(401)变成截止状态，便成为输出节点(N1)经NMOS晶体管(403)与字线启动信号(WACTCLK)连接的状态。当字线启动信号(WACTCLK)变化到“L”时，字线信号(MWL)就会变化到“L”。因信号(PCLK)是“H”，NMOS晶体管(405)处于导通状态，故由该NMOS晶体管(405)促进字线启动信号(WACTCLK)朝着接地电压放电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：新田忠司，小池刚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
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