一种MSM光电探测器的制备方法及MSM光电探测器技术

本发明专利技术公开了一种MSM光电探测器的制备方法，该方法包括以下步骤：对晶体硅片表面进行清洁处理；对晶硅硅表面进行硫、硒或碲离子注入，将注入后的晶片退火，注入后硫、硒或碲元素的浓度应达到1016atom/cm3；对硅片进行激光掺杂，将激光掺杂后的硅放入退火炉中进行退火；完成后的光电材料其中硫、硒或碲元素的含量达到1019atom/cm3~1021atom/cm3，杂质浓度超过莫特相变浓度，形成中间带；在材料表面沉积两个Al叉指电极；该光电探测器可以在可见光和近红外区域有很高的响应。还公开了由上述方法制成的MSM光电探测器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MSM光电探测器的制备方法，其特征是含以下步骤：（1）采用离子注入法在预处理后的晶体硅片中注入硫、硒或碲，使晶体硅片中硫、硒或碲元素的浓度为5×1015~1016个原子数/cm3，然后对晶体硅片进行退火和清洗处理；（2）将退火处理后的晶体硅片采用激光再次掺杂硫、硒或碲，使晶体硅片中硫、硒或碲元素的浓度为1019~1021个原子数/cm3，经退火处理在晶体硅表面形成重掺杂硫、硒或碲硅薄膜层；（3）在重掺杂硫、硒或碲硅薄膜层表面接着沉积一层铝金属薄膜，该铝金属薄膜的厚度为50~100nm；（4）在铝金属薄膜上旋涂一层光刻胶，并通过曝光和显影液处理形成叉指电极图形，将晶体硅片浸入碱液中，腐蚀掉未被光刻胶叉指电极图形保护的金属铝薄膜，并在重掺杂硫、硒或碲硅薄膜层表面非叉指电极图形区域生成一层二氧化硅薄膜，形成MSM光电探测器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈长水，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：