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本发明公开了一种MSM光电探测器的制备方法，该方法包括以下步骤：对晶体硅片表面进行清洁处理；对晶硅硅表面进行硫、硒或碲离子注入，将注入后的晶片退火，注入后硫、硒或碲元素的浓度应达到1016atom/cm3；对硅片进行激光掺杂，将激光掺杂后的...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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