【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于基于碘化汞的X射线探测器的制备的方法,其特征在于该方法具有如下工艺过程和步骤:a.?多晶碘化汞薄膜的制备:依据图1,先将TFT的多晶碘化汞薄膜衬底(8),用衬底温度控制仪温控(10),并置于薄膜生长管体;真空活塞盖用丙酮浸泡半小时后,超声清洗15分钟,再用酒精浸泡半小时,超声清洗15分钟;然后用去离子水反复冲洗六次,最后烘干备用;每次称取1.5克的HgI2粉末,通过真空活塞装入薄膜生长管体;将衬底放入薄膜生长管体,盖上真空活塞,并用高真空硅脂密封玻璃磨口的缝隙;将抽气口用橡皮垫圈与真空机组连接,把生长管体下部,放入有超声波发生器(11)于油浴槽(9)炉加热,开启机械泵和扩散油泵(12),将生长管抽真空至10?3Pa;使油浴快速升温至100℃,旁边有冷却水支管(7),并保持恒温,然后开启超声波发生器(11),开始多晶碘化汞薄膜生长;1.5h后,停止加热,让生长管自然冷却,同时关闭真空机组,停止抽气。b.?碘化汞探测器的制备:可见附图2,在真空镀膜机中,用圆形点电极掩膜板在碘化汞膜的表面,蒸镀上约一层厚约100nm?面积为2mm2的金电极,蒸镀时,蒸发舟与多晶膜之间距离为8cm,蒸 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:史伟民,廖阳,陶佳佳,钱隽,李季戎,王国华,陆舒逸,
申请(专利权)人:上海大学,
类型:发明
国别省市:
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