基于多晶碘化汞薄膜的X射线探测器的制备制造技术

本发明专利技术涉及利用超声辅助物理气相沉积技术，生长多晶碘化汞薄膜，并在薄膜上制备了X射线探测器方法，属于以半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。该发明专利技术解决了制作碘化汞薄膜技术，与射线探测器制备工艺问题。此技术以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用物理气相沉积方法，制作了多晶碘化汞，并对其隔离大气，配置电极，又对薄膜器件进行有效封装，获得质佳的射线探测器。薄膜及制作的探测器经XRD、SEM、I-V等特性分析，表明气相沉积法可制得沿晶向，柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且获甚佳晶粒完整性及均匀性，探测器与金有良好的欧姆接触。本发明专利技术适用于对X射线及Gama射线等的检测，有潜在的实际应用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于基于碘化汞的X射线探测器的制备的方法，其特征在于该方法具有如下工艺过程和步骤：a.?多晶碘化汞薄膜的制备：依据图1，先将TFT的多晶碘化汞薄膜衬底（8），用衬底温度控制仪温控（10），并置于薄膜生长管体；真空活塞盖用丙酮浸泡半小时后，超声清洗15分钟，再用酒精浸泡半小时，超声清洗15分钟；然后用去离子水反复冲洗六次，最后烘干备用；每次称取1.5克的HgI2粉末，通过真空活塞装入薄膜生长管体；将衬底放入薄膜生长管体，盖上真空活塞，并用高真空硅脂密封玻璃磨口的缝隙；将抽气口用橡皮垫圈与真空机组连接，把生长管体下部，放入有超声波发生器（11）于油浴槽（9）炉加热，开启机械泵和扩散油泵（12）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：史伟民，廖阳，陶佳佳，钱隽，李季戎，王国华，陆舒逸，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：