单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法技术

本发明专利技术涉及一种单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法，是针对解决现有单晶等外品N型硅片较难制作太阳能电池片的技术问题而设计。其方法步骤包括清洗、扩散烧结、去磷硅玻璃、镀减反射膜、二次清洗、制绒抛光、去除减反射膜、再次镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结、恒温提取、功率分档，最终制得转换效率18%的N型太阳能电池片。本发明专利技术制造工艺简单，成本低，不仅实现资源充分利用，节能环保，且为社会创造能源财富，适合作为太阳能电池片的制造方法，或同类方法的改进。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法，其特征在于该方法利用单晶等外品N型硅片废料制造太阳能电池片，其方法包括以下步骤：一、将等外品N型硅片进行450℃～550℃真空炉退火处理；二、制绒清洗，将退火处理后的硅片放入温度为80℃～85℃以200L水与氢氧化钠配制成浓度为1.2%的溶液中，并添加0.3%的制绒液体；三、扩散制结，以三氯氧磷扩散剂在830℃～900℃高温下进行所述硅片表面的磷原子浓度加大形成N+极；四、去磷硅玻璃，通过化学腐蚀，将所述硅片放入氢氟酸溶液中浸泡使其产生反应后生成可溶性络和物六氟硅酸；五、镀减反射膜，利用低温等离子体作能量源，将所述硅片置于低气压下辉光发电的阴极上，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：莫志凯，邵芳，
申请(专利权)人：莫志凯，
类型：发明
国别省市：