【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法,其特征在于该方法利用单晶等外品N型硅片废料制造太阳能电池片,其方法包括以下步骤:一、将等外品N型硅片进行450℃~550℃真空炉退火处理;二、制绒清洗,将退火处理后的硅片放入温度为80℃~85℃以200L水与氢氧化钠配制成浓度为1.2%的溶液中,并添加0.3%的制绒液体;三、扩散制结,以三氯氧磷扩散剂在830℃~900℃高温下进行所述硅片表面的磷原子浓度加大形成N+极;四、去磷硅玻璃,通过化学腐蚀,将所述硅片放入氢氟酸溶液中浸泡使其产生反应后生成可溶性络和物六氟硅酸;五、镀减反射膜,利用低温等离子体作能量源,将所述硅片置于低气压下辉光发电的阴极上,利用辉光发电使其温度升到预定值,再通入SiH4和NH3气体经一系列反应,在所述硅片表面形成固态减反射膜;六、二次清洗过酸,去除减反射膜背面四周所形成的Si3H4;七、制绒抛光,将硅片放入温度为80℃~85℃的制绒槽内,槽内是以200L水与氢氧化钠配比成浓度为4%的碱性溶液,进行抛光,抛光的目的是对未扩散面磷原子的稀释,达到绝缘,抛光时间为200秒,然后再用氢氟酸去除减反射膜;八、再次镀减反射膜,过 ...
【技术特征摘要】
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