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本发明涉及一种单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法，是针对解决现有单晶等外品N型硅片较难制作太阳能电池片的技术问题而设计。其方法步骤包括清洗、扩散烧结、去磷硅玻璃、镀减反射膜、二次清洗、制绒抛光、去除减反射膜、再次镀减反射膜、丝网印刷、...
该专利属于莫志凯所有，仅供学习研究参考，未经过莫志凯授权不得商用。

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