具有多个栅极的纳米线场效应器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件(1)，该半导体器件(1)包括：至少一个纳米线(2)，被配置为包括：包括对应源极半导体材料的至少一个源极区域(3)、包括对应漏极半导体材料的至少一个漏极区域(4)和包括对应沟道半导体材料的至少一个沟道区域(5)，沟道区域(5)被布置在源极区域(3)与漏极区域(4)之间，至少一个栅极电极(6)，该至少一个栅极电极(6)相对于纳米线(2)被布置为沿周缘包围沟道区域(5)的至少一部分，以及至少一个应变栅极(7)，该至少一个应变栅极(7)相对于纳米线(2)被布置为沿周缘包围纳米线(2)的一段的至少一部分，应变栅极(7)被配置为向纳米线段(8)施加应变，以由此至少促进与源极区域(3)对应的能带相对于与沟道区域(5)对应的能带的改变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·F·卡格，K·E·莫塞伦德，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：