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本发明涉及一种半导体器件(1)，该半导体器件(1)包括：至少一个纳米线(2)，被配置为包括：包括对应源极半导体材料的至少一个源极区域(3)、包括对应漏极半导体材料的至少一个漏极区域(4)和包括对应沟道半导体材料的至少一个沟道区域(5)，沟道...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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