轧制铜箔制造技术

技术编号:9079209 阅读:121 留言:0更新日期:2013-08-22 20:12
本发明专利技术涉及一种轧制铜箔。所述轧制铜箔在再结晶退火工序后具有优异的弯曲特性。将与主表面平行的{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的以合计值为100所换算的衍射峰强度比分别设为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133},将具有{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的粉末铜的以合计值为100所换算的衍射峰强度比分别设为I0{022}、I0{113}、I0{111}、I0{133}和I0{002}时,I{022}/I0{022}≥7.0、I{113}/I0{113}≥0.40、I{111}/I0{111}≥0.090、且I{133}/I0{133}≥1.4。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及轧制铜箔,特别涉及用于柔性印刷配线板的轧制铜箔。
技术介绍
柔性印刷配线板(FPC:Flexible Printed Circuit)由于薄且可挠性优异,因而对电子设备等的安装形态的自由度高。因此,折叠式移动电话的弯折部分,数码相机、打印机头等的活动部分,硬盘驱动器(HDD:Hard Disk Drive)、数字通用光盘(DVD =DigitalVersatile Disk)、压缩光盘(⑶:Compact Disk)等光盘相关设备的活动部分的配线等中多数使用FPC。因此,对于作为FPC、其配线材料而使用的轧制铜箔,要求优异的弯曲特性。FPC用轧制铜箔经过热轧、冷轧等工序来制造,借助粘接剂或者直接与由聚酰亚胺等树脂构成的FPC的基膜(基材)通过加热等进行贴合,并实施蚀刻等表面加工而成为配线。通过退火后的再结晶而软化后的状态与冷轧后的加工硬化后的硬质状态相比,轧制铜箔的弯曲特性更显著地提高。因此,例如,在 上述的制造工序中采用如下的制造方法:使用冷轧后的轧制铜箔,在避免伸长、折皱等变形的同时,裁剪轧制铜箔,使其重合在基材上后,兼作轧制铜箔的再结晶退火而进行加热,从而使轧制铜箔与基材密合来进行一体化。到目前为止,以上述FPC的制造工序为前提,对弯曲特性优异的轧制铜箔、其制造方法进行了各种各样的研究,很多报告了如下事实:在轧制铜箔的表面上,作为立方体方位的{002}面({200}面)越发达则弯曲特性越提高。因此,例如专利文献I中,在再结晶晶粒的平均粒径为5 μ m 20 μ m的条件下,进行最终冷轧之前的退火,将最终冷轧的轧制加工度设为90%以上。由此,得到在调质成再结晶组织的状态下,轧制面的由X射线衍射所求出的{200}面的强度I相对于微粉末铜的由X射线衍射所求出的{200}面的强度Itl,为1/% > 20的立方体织构。另外,例如专利文献2中,通过提高最终冷轧前的立方体织构的发达度,将最终冷轧的加工度设为93%以上,并进一步实施再结晶退火,从而得到{200}面的积分强度为I/10 ^ 40的立方体织构显著发达的轧制铜箔。另外,例如专利文献3中,将最终冷轧工序中的总加工度设为94%以上,且将每一道次的加工度控制为15% 50%。由此,在再结晶退火后得到如下所述的晶粒取向状态,即,通过X射线衍射极点图测定而得到的轧制面的{111}面相对于{200}面的面内配向度Λ β为10°以下、且轧制面中的作为立方体织构的{200}面标准化后的衍射峰强度与{200}面的具有双晶关系的结晶区域标准化后的衍射峰强度的比为/ ^ 3。如此,在以往的技术中,通过提高最终冷轧工序的总加工度,从而在再结晶退火工序后使轧制铜箔的立方体织构发达,实现了弯曲特性的提高。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第3009383号公报专利文献2:日本专利第3856616号公报专利文献3:日本专利第4285526号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是,如上述专利文献I 3这样,即使表现出较多立方体织构,在采用多晶结构的轧制铜箔中作为立方体织构的1002}面也不会占到100%。即,在轧制铜箔中除了主方位的{002}面以外,{113}面、{111}面、{133}面等副方位的晶面不被控制,而是多个混合存在。近年来,随着电子设备的小型化、薄型化,在小空间内组装FPC的情况增加,必须在更小的空间内确保FPC、其配线材料的性能的可靠性。而与其相适应,对成为配线材料的轧制铜箔的弯曲特性的要求也提高,仅着眼于主方位的{002}面来提高立方体织构的比率这样的上述专利文献I 3的方法是有极限的。本专利技术的目的在于,提供一种可以在再结晶退火工序后具有优异的弯曲特性的轧制铜箔。用于解决课题的方法 根据本专利技术的第I方式,提供一种轧制铜箔,其为具备主表面,且具有与所述主表面平行的多个晶面的最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔,所述多个晶面包括{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面,将对所述主表面由使用2 Θ / Θ法的X射线衍射测定所求出、以合计值为100所换算的所述各晶面的衍射峰强度比分别设为1{(122}、I {113}、I {111}、1(133}和 I {002}, 将由关于具有{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的粉末铜的JCPDS卡或ICDD卡中记载的所述各晶面的标准衍射峰的相对强度所求出、以合计值为100所换算的所述各晶面的衍射峰强度比分别设为1(1(022}、1(1(113}、1(1(111}、工0{133}和1 {002}时,I {022}/l(l{022} ^ 7.0、1{113}/10{113}彡0.40、I 则/10{111}彡 0.090、且I {133}/1(1{133} ^ 1.4。根据本专利技术的第2方式,提供一种如第I方式所述的轧制铜箔,其中,1{_/1 {002} <0.25。根据本专利技术的第3方式,提供一种如第I方式或第2方式所述的轧制铜箔,其中,以JIS C1020中规定的无氧铜、或JIS CllOO中规定的韧铜为主成分。根据本专利技术的第4方式,提供一种如第I方式 第3方式中的任一方式所述的轧制铜箔,其中,添加了银、硼、钛、锡中的至少任一种。根据本专利技术的第5方式,提供一种如第I方式 第4方式中的任一方式所述的轧制铜箔,其中,通过总加工度为90%以上的所述最终冷轧工序,使厚度为20μπι以下。根据本专利技术的第6方式,提供一种如第I方式 第5方式中的任一方式所述的轧制铜箔,其中,用于柔性印刷配线板。专利技术的效果根据本专利技术,提供一种可以在再结晶退火工序后具有优异的弯曲特性的轧制铜箔。附图说明图1为显示本专利技术的一个实施方式所涉及的轧制铜箔制造工序的流程图。图2为使用2 Θ / Θ法的X射线衍射的测定结果,(a)为本专利技术实施例所涉及的轧制铜箔的X射线衍射图,(b)为比较例所涉及的轧制铜箔的X射线衍射图。图3为测定本专利技术实施例所涉及的轧制铜箔的弯曲特性的滑动弯曲试验装置的示意图。图4为纯铜型金属的反极点图,(a)为显示因拉伸变形而引起的结晶转动方向的反极点图,(b)为显示因压缩变形而引起的结晶转动方向的反极点图。图5为显示最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔的晶体方位的反极点图。符号说明10滑动弯曲试验装置11试样固定板12 螺钉13振动传递部14振荡驱动体F 试样片具体实施例方式本专利技术人等所得到的见解如上所述,为了得到在FPC用途中所要求的弯曲特性高的轧制铜箔,使轧制面的立方体方位越发达越好。本专利技术人等还进行了为了使立方体方位的占有率增大的各种各样的实验。并且,由到目前为止的实验结果确认到,在最终冷轧工序后存在的{022}面如果通过其后的再结晶退火工序被调质成再结晶,则成为1002}面,即立方体方位。即,优选在最终冷轧工序后、再结晶退火工序前,1022}面成为主方位。而另 一方面,由于轧制铜箔为多晶,因此,轧制面整体不会由一个晶面占到100%,例如在最终冷轧工序后的状态下,除了作为主方位的{022}面以外,还混合存在有多个{113}面、{111}面、{133}面等副方位的晶面,认为具有这些多个晶面的晶粒会对轧制铜箔的各项特性产生各种影响。因此,本本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种轧制铜箔,其特征在于,其为具备主表面,且具有与所述主表面平行的多个晶面的最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔,所述多个晶面包括{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面,将通过对所述主表面进行使用了2θ/θ法的X射线衍射测定而求出的、并以合计值为100的方式换算得到的所述各晶面的衍射峰强度比分别设为I{022}、I{113}、I{111}、I{133}和I{002},将由关于具有{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的粉末铜的JCPDS卡或ICDD卡中记载的所述各晶面的标准衍射峰的相对强度所求出、以合计值为100所换算的所述各晶面的衍射峰强度比分别设为I0{022}、I0{113}、I0{111}、I0{133}和I0{002}时,I{022}/I0{022}≥7.0、I{113}/I0{113}≥0.40、I{111}/I0{111}≥0.090、且I{133}/I0{133}≥1.4。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:室贺岳海关聪至
申请(专利权)人:日立电线株式会社
类型:发明
国别省市:

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