轧制铜箔制造技术

技术编号:9079204 阅读:138 留言:0更新日期:2013-08-22 20:11
本发明专利技术提供一种轧制铜箔,在再结晶退火工序后具有优良弯曲特性。与主表面平行的多个晶面的衍射峰强度为:I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≥0.50,(I{002}+I{113})/(I{111}+I{133})≤2.0,10≤I{022}/I{002}≤45,I{022}/I{113}≥5.0,I{022}/I{111}≤120,I{022}/I{133}≤25,I{002}/I{113}≤5.0,I{111}/I{133}≤3.0,I{113}/I{111}≤5.0,I{002}/I{111}≤8.0,I{002}/I{133}≤2.0,且I{113}/I{133}≤2.0。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种轧制铜箔,特别涉及一种在柔性印刷配线板中使用的轧制铜箔。
技术介绍
柔性印刷配线板(FPC:Flexible Printed Circuit)由于薄、可挠性优良,因而对电子设备等的安装形态的自由度高。因此,FPC多数用于折叠式移动电话的折弯部分,数码相机、打印机头等的活动部分,硬盘驱动器(HDD:Hard Disk Drive)、数字通用光盘(DVD:Digital Versatile Disk)、压缩光盘(⑶:Compact Disk)等光盘相关设备的活动部分的配线等。因此,对作为FPC、其配线材料而使用的轧制铜箔一直要求优异的弯曲特性。FPC用轧制铜箔经过热轧、冷轧等工序来制造,并通过粘接剂或通过加热等直接地与由聚酰亚胺等树脂构成的FPC的基膜(基材)贴合,实施蚀刻等表面加工而成为配线。通过退火后的再结晶而软化后的状态与冷轧后的加工硬化后的硬质状态相比,轧制铜箔的弯曲特性显著提高。因此可以采用如下的制造方法:例如在上述制造工序中,使用冷轧后的轧制铜箔,在避免伸长、折皱等变形的同时剪裁轧制铜箔,并叠合在基材上,之后,兼任轧制铜箔的再结晶退火而通过加热使轧制铜箔与基材密合而进行一体化。以上述FPC的制造工序为前提,关于弯曲特性优异的轧制铜箔、其制造方法,迄今为止进行了各种研究,很多报告指出在轧制铜箔的表面作为立方体方位的1002}面({200}面)越发达,则弯曲特性越提高。因此,例如在专利文献I中,在再结晶粒的平均粒径为5 μ πΓ20 μ m的条件下进行最终冷轧之前的退火,使最终冷轧的轧制加工度为90%以上。由此,得到在对再结晶组织进行了调质的状态 下,由轧制面的X射线衍射求出的{200}面的强度I相对于由微粉末铜的X射线衍射求出的{200}面的强度Itl为IAtl > 20的立方体织构。另外,例如在专利文献2中,通过提高最终冷轧前的立方体织构的发达度,将最终冷轧的加工度设为93%以上,并进一步实施再结晶退火,从而得到{200}面的积分强度为I/10 ^ 40的、立方体织构显著发达的轧制铜箔。另外,例如在专利文献3中,将最终冷轧工序中的总加工度设为94%以上,且将每I道次的加工度控制为159Γ50%。由此,再结晶退火后,得到通过X射线衍射极点图测定而得到的轧制面的{111}面相对于{200}面的面内取向度△ β为10°以下、且和的比为/ ^ 3的晶粒取向状态,所述为轧制面中的作为立方体织构的{200}面标准化后的衍射峰强度,所述为与{200}面存在孪晶关系的结晶区域标准化后的衍射峰强度。如此在以往技术中,通过提高最终冷轧工序的总加工度,在再结晶退火工序后使轧制铜箔的立方体织构发达,从而实现了弯曲特性的提高。专利文献1:日本专利第3009383号公报专利文献2:日本专利第3856616号公报专利文献3:日本专利第4285526号公报
技术实现思路
但是,像上述的专利文献f 3那样,即使表现出较多立方体织构,采取多晶结构的轧制铜箔中的作为立方体织构的1002}面也不会占到100%。即,轧制铜箔中除了主方位的{002}面以外,还不受抑制地混合存在多个{113}面、{111}面、{133}面等副方位的晶面。近年来,随着电子设备的小型化、薄型化,在小空间内组装入FPC的情况增加,从而必须在更小的空间内确保FPC、其配线材料的性能的可靠性。与之对应,对成为配线材料的轧制铜箔的弯曲特性的要求也提高,仅仅着眼于主方位的{002}面而提高立方体织构的比率那样的上述专利文献f 3的方法存在限度。本专利技术的目的是提供能够在再结晶退火工序后具有优良弯曲特性的轧制铜箔。根据本专利技术的第I方式,提供一种轧制铜箔,其具备主表面、且具有与所述主表面平行的多个晶面,是最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔,所述多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面,将对所述主表面利用2 Θ / Θ法进行X射线衍射测定而得到的所述各晶面的衍射峰强度分别设为 I {022}、I {002}、I 13}、1(111}和工{133}时,I {022}/(I {022}+1 {002}+1 {113} + 1 {111} + 1 {133}) >0.50,(I {002}+1 {113}) / (I {111}+1 {133}) <2.0,10 ≤I 細/1{_ ≤45,I {022}/I {113} ≤ 5.0,I 細/I 则≤120,I {022}/1 {133} ^ 25,I (002}/1 {113} ^ 5.0,I 则/I 細≤ 3.0,I 細/I 则≤ 5.0,1 (002)/1 (111} ≤ 8.0,1{_/1 細≤ 2.0,且I 細/I 細≤2.0。根据本专利技术的第2方式,提供第I方式中记载的轧制铜箔,其中以JIS C1020中规定的无氧铜或者JIS CllOO中规定的韧铜为主成分。根据本专利技术的第3方式,提供第I或者第2方式中记载的轧制铜箔,其中添加了银、硼、钛、锡中的至少任一种。根据本专利技术的第4方式,提供第广第3方式中任一项所记载的轧制铜箔,其中,通过总加工度为90%以上的所述最终冷轧工序使得厚度为20 μ m以下。根据本专利技术的第5方式,提供第f第4方式中任一项所记载的轧制铜箔,用于柔性印刷配线板。根据本专利技术,提供能够在再结晶退火工序后具有优良弯曲特性的轧制铜箔。附图说明图1是显示本专利技术的一个实施方式的轧制铜箔的制造工序的流程图。图2是测定本专利技术的实施例的轧制铜箔的弯曲特性的滑动弯曲试验装置的示意图。图3是纯铜型金属的反极点图,(a)为显示拉伸变形引起的晶体转动方向的反极点图,(b)为显示压缩变形引起的晶体转动方向的反极点图。图4为显示最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔的结晶方位的反极点图。符号说明10滑动弯曲试验装置11试样固定板12 螺钉13振动传达部14振荡驱动体F试样片具体实施方式 本专利技术人等所得到的见解如上所述,为了得到在FPC用途中所要求的弯曲特性高的轧制铜箔,使轧制面的立方体方位越发达越好。本专利技术中,在例如对主方位的晶面进行控制而使得轧制面的立方体方位发达的基础上实现弯曲特性的进一步提高。关于主方位的晶面控制,本专利技术人等也一直进行用于使立方体方位的占有率增大的各种实验。并且,由迄今为止的实验结果确认出,在最终冷轧工序后存在的{022}面如果通过其后的再结晶退火工序被调质成再结晶,则成为{002}面、即立方体方位。即,在最终冷轧工序后、再结晶退火工序前,优选1022}面成为主方位。另一方面,由于轧制铜箔为多晶,因此,轧制面整体不会在一个晶面占100%,例如在最终冷轧工序后的状态下,除了作为主方位的1022}面以外,还混合存在多个{113}面、{111}面、{133}面等副方位的晶面,认为这些具有多个晶面的晶粒会对轧制铜箔的各项特性产生各种影响。因此,本专利技术人等着眼于迄今为止一直被视作无用的副方位的晶面,在维持主方位的占有率而确保高的弯曲特性的同时,探讨了是否无法使这些副方位的晶面有助于弯曲特性的进一步提闻。这样认真研究的结果,本专利技术人等发现,通过控制{113}面、{111}面、{133}面等副方位的晶面的比率,能够进一步提高轧制铜箔的弯本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种轧制铜箔,其特征在于,其为具备主表面、且具有与所述主表面平行的多个晶面的最终冷轧工序后、再结晶退火工序前的轧制铜箔,所述多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面,将通过对所述主表面利用2θ/θ法进行X射线衍射测定而得到的所述各晶面的衍射峰强度分别设为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133}时,I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≥0.50,(I{002}+I{113})/(I{111}+I{133})≤2.0,10≤I{022}/I{002}≤45,I{022}/I{113}≥5.0,I{022}/I{111}≤120,I{022}/I{133}≤25,I{002}/I{113}≤5.0,I{111}/I{133}≤3.0,I{113}/I{111}≤5.0,I{002}/I{111}≤8.0、I{002}/I{133}≤2.0,且I{113}/I{133}≤2.0。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:室贺岳海关聪至
申请(专利权)人:日立电线株式会社
类型:发明
国别省市:

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