轧制铜箔制造技术

技术编号:9079205 阅读:128 留言:0更新日期:2013-08-22 20:11
本发明专利技术提供一种轧制铜箔,其具有高弯曲特性和优良的耐折弯性。与主表面平行的多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面,对主表面利用2θ/θ法进行X射线衍射测定而求出、以合计值成为100的方式换算而得的各晶面的衍射峰强度比分别为I{113}≤6.0、I{111}≤6.0且I{133}≤6.0,各晶面的衍射峰的半值宽分别为FWHM{002}≤0.60、FWHM{022}≤0.50、FWHM{113}≤0.50、FWHM{111}≤0.50且FWHM{133}≤0.70。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种轧制铜箔,特别涉及一种在柔性印刷配线板中使用的轧制铜箔。
技术介绍
柔性印刷配线板(FPC:Flexible Printed Circuit)由于薄、可挠性优良,因而对电子设备等的安装形态的自由度高。因此,FPC多数用于折叠式移动电话的折弯部分,数码相机、打印机头等的活动部分,硬盘驱动器(HDD:Hard Disk Drive)、数字通用光盘(DVD:Digital Versatile Disk)、压缩光盘(⑶:Compact Disk)等光盘相关设备的活动部分的配线等。因此,对作为FPC、其配线材料而使用的轧制铜箔一直要求耐反复弯曲的优异的弯曲特性。FPC用轧制铜箔经过热轧、冷轧等工序来制造,并通过粘接剂或通过加热等直接地与由聚酰亚胺等树脂构成的FPC的基膜(基材)贴合,实施蚀刻等表面加工而成为配线。通过退火后的再结晶而软化后的状态与冷轧后的加工硬化后的硬质状态相比,轧制铜箔的弯曲特性显著提高。因此可以采用如下的制造方法:例如在上述制造工序中,使用冷轧后的轧制铜箔,在避免伸长、折皱等变形的同时剪裁轧制铜箔,并叠合在基材上,之后,兼任轧制铜箔的再结晶退火而通过加热使轧制铜箔与基材密合而进行一体化。以上述FPC的制造工序为前提,关于弯曲特性优异的轧制铜箔、其制造方法,迄今为止进行了各种研究,很多报告指出在轧制铜箔的表面作为立方体方位的1002}面({200}面)越发达,则弯曲特性越提高。因此,例如在·专利文献I中,在再结晶粒的平均粒径为5 μ πΓ20 μ m的条件下进行最终冷轧之前的退火,使最终冷轧的轧制加工度为90%以上。由此,得到在对再结晶组织进行了调质的状态下,由轧制面的X射线衍射求出的{200}面的强度I相对于由微粉末铜的X射线衍射求出的{200}面的强度Itl为IAtl > 20的立方体织构。另外,例如在专利文献2中,通过提高最终冷轧前的立方体织构的发达度,将最终冷轧的加工度设为93%以上,并进一步实施再结晶退火,从而得到{200}面的积分强度为I/10 ^ 40的、立方体织构显著发达的轧制铜箔。另外,例如在专利文献3中,将最终冷轧工序中的总加工度设为94%以上,且将每I道次的加工度控制为159Γ50%。由此,再结晶退火后,得到通过X射线衍射极点图测定而得到的轧制面的{111}面相对于{200}面的面内取向度△ β为10°以下、且和的比为/ ^ 3的晶粒取向状态,所述为轧制面中的作为立方体织构的{200}面标准化后的衍射峰强度,所述为与{200}面存在孪晶关系的结晶区域标准化后的衍射峰强度。如此在以往技术中,通过提高最终冷轧工序的总加工度,在再结晶退火工序后使轧制铜箔的立方体织构发达,从而实现了弯曲特性的提高。专利文献1:日本专利第3009383号公报专利文献2:日本专利第3856616号公报专利文献3:日本专利第4285526号公报
技术实现思路
另一方面,近年来,随着电子设备的小型化、薄型化,在小空间内折弯地组装FPC的情况逐渐增加。特别是在智能手机等的面板部分,还有时会将形成配线的FPC折弯成180°来组装,对于轧制铜箔,逐渐提高了允许小弯曲半径的耐折弯性的要求。由此,为了应对根据用途等不同的、耐反复弯曲的高弯曲特性的要求和耐小弯曲半径的耐折弯性的要求,以往,对于各种用途而分开制造不同特性的轧制铜箔。但是,这种状况从生产率方面出发谈不上效率,存在盈利性差的问题。本专利技术的目的是提供在再结晶退火工序后,能够在高弯曲特性的同时还具有优良耐折弯性的轧制铜箔。如果能够实现这样兼具两种特性的轧制铜箔,则无论是重视高弯曲特性的用途还是重视耐折弯性的用途都能适用,可以显著提高生产效率。根据本专利技术的第I方式,提供一种轧制铜箔,其为具备主表面、具有与所述主表面平行的多个晶面的、最终冷轧工序后再结晶退火工序前的轧制铜箔,所述多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面,将对所述主表面利用2 Θ / Θ法进行X射线衍射测定而求出、以合计值成为100的方式换算而得的所述各晶面的衍射峰强度比分力llix为 I {022}、I {002}、I {113}、1(111}和工{133}时,1(113} ^ 6.0、I {m} < 6.0 且 I {133} ^ 6.0,将所述各晶面的衍射峰的半值宽分别设为FWHM_、FffHM(OO2), FWHM{113}> FWHM{111}和 FWHM{133}时,FWHM{_ ^ 0.60, FffHM{022} ^ 0.50, FffHMui3i ^ 0.50, FWHM{111}彡 0.50 且FffHMf133)彡 0.70。根据本专利技术的第2方式,提供第I方式中记载的轧制铜箔,将由关于具有{022}面、{002}面、{113}面、{111}面及{133}面的粉末铜的JCPDS卡片或者I⑶D卡片中记载的所述各晶面的标准衍射峰的相对强度求出、以合计值成为100的方式换算而得的所述各晶面的衍射峰强度比分别设为 1〇{022}、工0{002}、工0{113}、工0{111} 及时, I {113}/1(1{113}≤ 0.70、I {111}/1(1{111} < 0.12 且 I {133}/1(|{133} ^ I.3。根据本专利技术的第3方式,提供第I或者第2方式中记载的轧制铜箔,其中I {002} ≥7.5 。根据本专利技术的第4方式,提供第广第3方式中任一项所记载的轧制铜箔,其中,将由关于具有{022}面、{002}面、{113}面、{111}面及{133}面的粉末铜的JCPDS卡片或者ICDD卡片中记载的所述各晶面的标准衍射峰的相对强度求出、以合计值成为100的方式换算而得的所述各晶面的衍射峰强度比分别设为1。丨。22丨、1。丨。。2丨、1。丨11:3丨、1。丨111 I {002} ≥0.30。根据本专利技术的第5方式,提供第f第4方式中任一项所记载的轧制铜箔,其中以JIS C1020中规定的无氧铜或者JIS CllOO中规定的韧铜为主成分。根据本专利技术的第6方式,提供第f第5方式中任一项所记载的轧制铜箔,其中添加有银、硼、钛、锡中的至少任一种。根据本专利技术的第7方式,提供第广第6方式中任一项所记载的轧制铜箔,其中,通过总加工度为90%以上的所述最终冷轧工序使得厚度为20 μ m以下。根据本专利技术的第8方式,提供第f第7方式中任一项所记载的轧制铜箔,用于柔性印刷配线板。根据本专利技术,提供在再结晶退火工序后能够同时具有高弯曲特性和优良耐折弯性的轧制铜箔。附图说明图1是显示本专利技术的一个实施方式的轧制铜箔的制造工序的流程图。图2是使用2 Θ / Θ法的X射线衍射的测定结果,(a)是本专利技术的实施例1的轧制铜箔的X射线衍射图谱,(b)是比较例I的轧制铜箔的X射线衍射图谱,(C)是比较例8的轧制铜箔的X射线衍射图谱。图3是测定本专利技术的实施例的轧制铜箔的弯曲特性的滑动弯曲试验装置的示意图。图4是显示本专利技术的实施例的轧制铜箔的耐折弯性的试验方法的概要的图。图5是纯铜型金属的反极点图,(a)为显示拉伸变形引起的晶体转动方向的反极点图,(b)为显示压缩变形引起的晶体转动方向的反极点图。图6为显示最终冷轧工序后、再结晶退本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种轧制铜箔,其特征在于,其为具备主表面、具有与所述主表面平行的多个晶面的、最终冷轧工序后再结晶退火工序前的轧制铜箔,所述多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面,将对所述主表面利用2θ/θ法进行X射线衍射测定而求出、以合计值成为100的方式换算而得的所述各晶面的衍射峰强度比分别设为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133}时,I{113}≤6.0,I{111}≤6.0,且I{133}≤6.0,将所述各晶面的衍射峰的半值宽分别设为FWHM{022}、FWHM{002}、FWHM{113}、FWHM{111}和FWHM{133}时,FWHM{002}≤0.60,FWHM{022}≤0.50,FWHM{113}≤0.50,FWHM{111}≤0.50,且FWHM{133}≤0.70。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:室贺岳海关聪至
申请(专利权)人:日立电线株式会社
类型:发明
国别省市:

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